ZXTN25100BFHTA Альтернативные части: ZXTN2020FTA ,SSTA28T116

ZXTN25100BFHTADiodes Incorporated

  • ZXTN25100BFHTADiodes Incorporated
  • ZXTN2020FTADiodes Incorporated
  • SSTA28T116ROHM Semiconductor

В наличии: 12408

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    16.288462 ₽

    16.35 ₽

  • 10

    15.366470 ₽

    153.71 ₽

  • 100

    14.496676 ₽

    1,449.73 ₽

  • 500

    13.676113 ₽

    6,838.05 ₽

  • 1000

    12.901992 ₽

    12,901.92 ₽

Цена за единицу: 16.288462 ₽

Итоговая цена: 16.35 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 100V 3A SOT23-3
TRANS NPN 100V 4A SOT23-3
TRANS NPN DARL 80V 0.3A SOT23
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
10 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
-
Вес
7.994566mg
7.994566mg
-
Диэлектрический пробой напряжение
100V
100V
80V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
3A
-
-
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2006
2005
Состояние изделия
Active
Active
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
100V
100V
80V
Максимальная потеря мощности
1.81W
1.56W
200mW
Моментальный ток
3A
4A
300mA
Частота
160MHz
130MHz
-
Основной номер части
ZXTN25100
ZXTN2020
STA28
Направленность
NPN
-
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
1.81W
1.56W
200mW
Мощность - Макс
1.25W
1.2W
-
Продуктивность полосы частот
160MHz
130MHz
-
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
100V
100V
80V
Максимальный ток сбора
3A
4A
300mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 10mA 2V
100 @ 1A 2V
10000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA ICBO
20nA ICBO
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 300mA, 3A
150mV @ 400mA, 4A
1.5V @ 100μA, 100mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
100V
-
-
Максимальная частота
160MHz
-
-
Максимальное напряжение разрушения
100V
100V
80V
Частота - Переход
160MHz
-
200MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
170V
160V
80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
7V
12V
Высота
1mm
1mm
-
Длина
3.05mm
3.05mm
-
Ширина
1.4mm
1.4mm
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Минимальная частота работы в герцах
-
100
10000
Код JESD-609
-
e3
e1
Безоловая кодировка
-
yes
yes
Количество выводов
-
3
3
Завершение
-
SMD/SMT
SMD/SMT
Код ECCN
-
EAR99
EAR99
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
10
Число контактов
-
3
3
Применение транзистора
-
SWITCHING
AMPLIFIER
Полярность/Тип канала
-
NPN
-
Частота перехода
-
130MHz
200MHz
Код ТН ВЭД
-
-
8541.21.00.75
Максимальное напряжение на выходе
-
-
1.5 V
Сопротивление базы-эмиттора макс
-
-
8pF