ZXTN25100BFHTA Альтернативные части: ZXTN2020FTA

ZXTN25100BFHTADiodes Incorporated

  • ZXTN25100BFHTADiodes Incorporated
  • ZXTN2020FTADiodes Incorporated

В наличии: 12408

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    16.288462 ₽

    16.35 ₽

  • 10

    15.366470 ₽

    153.71 ₽

  • 100

    14.496676 ₽

    1,449.73 ₽

  • 500

    13.676113 ₽

    6,838.05 ₽

  • 1000

    12.901992 ₽

    12,901.92 ₽

Цена за единицу: 16.288462 ₽

Итоговая цена: 16.35 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 100V 3A SOT23-3
TRANS NPN 100V 4A SOT23-3
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
Вес
7.994566mg
7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение
100V
100V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
3A
-
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2006
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
100V
100V
Максимальная потеря мощности
1.81W
1.56W
Моментальный ток
3A
4A
Частота
160MHz
130MHz
Основной номер части
ZXTN25100
ZXTN2020
Направленность
NPN
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
1.81W
1.56W
Мощность - Макс
1.25W
1.2W
Продуктивность полосы частот
160MHz
130MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
100V
100V
Максимальный ток сбора
3A
4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 10mA 2V
100 @ 1A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA ICBO
20nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 300mA, 3A
150mV @ 400mA, 4A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
100V
-
Максимальная частота
160MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
100V
100V
Частота - Переход
160MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
170V
160V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
7V
Высота
1mm
1mm
Длина
3.05mm
3.05mm
Ширина
1.4mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Минимальная частота работы в герцах
-
100
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Завершение
-
SMD/SMT
Код ECCN
-
EAR99
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
Число контактов
-
3
Применение транзистора
-
SWITCHING
Полярность/Тип канала
-
NPN
Частота перехода
-
130MHz