ZXTN25100BFHTA Альтернативные части: SSTA28T116

ZXTN25100BFHTADiodes Incorporated

  • ZXTN25100BFHTADiodes Incorporated
  • SSTA28T116ROHM Semiconductor

В наличии: 12408

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    16.288462 ₽

    16.35 ₽

  • 10

    15.366470 ₽

    153.71 ₽

  • 100

    14.496676 ₽

    1,449.73 ₽

  • 500

    13.676113 ₽

    6,838.05 ₽

  • 1000

    12.901992 ₽

    12,901.92 ₽

Цена за единицу: 16.288462 ₽

Итоговая цена: 16.35 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 100V 3A SOT23-3
TRANS NPN DARL 80V 0.3A SOT23
Срок поставки от производителя
15 Weeks
10 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
Вес
7.994566mg
-
Диэлектрический пробой напряжение
100V
80V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
3A
-
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2005
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
100V
80V
Максимальная потеря мощности
1.81W
200mW
Моментальный ток
3A
300mA
Частота
160MHz
-
Основной номер части
ZXTN25100
STA28
Направленность
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
1.81W
200mW
Мощность - Макс
1.25W
-
Продуктивность полосы частот
160MHz
-
Тип транзистора
NPN
NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
100V
80V
Максимальный ток сбора
3A
300mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 10mA 2V
10000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA ICBO
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 300mA, 3A
1.5V @ 100μA, 100mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
100V
-
Максимальная частота
160MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
100V
80V
Частота - Переход
160MHz
200MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
170V
80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
12V
Высота
1mm
-
Длина
3.05mm
-
Ширина
1.4mm
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Минимальная частота работы в герцах
-
10000
Код JESD-609
-
e1
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Завершение
-
SMD/SMT
Код ECCN
-
EAR99
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
10
Число контактов
-
3
Применение транзистора
-
AMPLIFIER
Частота перехода
-
200MHz
Максимальное напряжение на выходе
-
1.5 V
Сопротивление базы-эмиттора макс
-
8pF