ZXTN25100BFHTA Альтернативные части: MMBTA06-7-F

ZXTN25100BFHTADiodes Incorporated

  • ZXTN25100BFHTADiodes Incorporated
  • MMBTA06-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 12408

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    16.288462 ₽

    16.35 ₽

  • 10

    15.366470 ₽

    153.71 ₽

  • 100

    14.496676 ₽

    1,449.73 ₽

  • 500

    13.676113 ₽

    6,838.05 ₽

  • 1000

    12.901992 ₽

    12,901.92 ₽

Цена за единицу: 16.288462 ₽

Итоговая цена: 16.35 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 100V 3A SOT23-3
Transistor General Purpose BJT NPN 80 Volt 0.5 Amp 3-Pin SOT-23 Tape And Reel
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
Вес
7.994566mg
7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение
100V
80V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
3A
-
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2009
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
100V
80V
Максимальная потеря мощности
1.81W
300mW
Моментальный ток
3A
500mA
Частота
160MHz
100MHz
Основной номер части
ZXTN25100
MMBTA06
Направленность
NPN
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
1.81W
310mW
Мощность - Макс
1.25W
-
Продуктивность полосы частот
160MHz
100MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
100V
80V
Максимальный ток сбора
3A
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 10mA 2V
100 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA ICBO
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 300mA, 3A
250mV @ 10mA, 100mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
100V
-
Максимальная частота
160MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
100V
80V
Частота - Переход
160MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
170V
80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
4V
Высота
1mm
1.1mm
Длина
3.05mm
3.05mm
Ширина
1.4mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Минимальная частота работы в герцах
-
100
Серия
-
Automotive, AEC-Q101
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Завершение
-
SMD/SMT
Код ECCN
-
EAR99
Дополнительная Характеристика
-
HIGH RELIABILITY
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
Число контактов
-
3
Применение транзистора
-
SWITCHING
Полярность/Тип канала
-
NPN
Частота перехода
-
100MHz
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
Прямоходящий ток коллектора
-
500mA