ZXTN25100BFHTA Альтернативные части: FMMT634TA

ZXTN25100BFHTADiodes Incorporated

  • ZXTN25100BFHTADiodes Incorporated
  • FMMT634TADiodes Incorporated

В наличии: 12408

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    16.288462 ₽

    16.35 ₽

  • 10

    15.366470 ₽

    153.71 ₽

  • 100

    14.496676 ₽

    1,449.73 ₽

  • 500

    13.676113 ₽

    6,838.05 ₽

  • 1000

    12.901992 ₽

    12,901.92 ₽

Цена за единицу: 16.288462 ₽

Итоговая цена: 16.35 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 100V 3A SOT23-3
TRANS NPN DARL 100V 0.9A SOT23-3
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
Вес
7.994566mg
7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение
100V
115V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
3A
-
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Опубликовано
2006
2006
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
100V
100V
Максимальная потеря мощности
1.81W
625mW
Моментальный ток
3A
900mA
Частота
160MHz
-
Основной номер части
ZXTN25100
FMMT634
Направленность
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
1.81W
625mW
Мощность - Макс
1.25W
-
Продуктивность полосы частот
160MHz
-
Тип транзистора
NPN
NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
100V
100V
Максимальный ток сбора
3A
900mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 10mA 2V
20000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA ICBO
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 300mA, 3A
960mV @ 5mA, 1A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
100V
-
Максимальная частота
160MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
100V
100V
Частота - Переход
160MHz
140MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
170V
120V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
12V
Высота
1mm
1.1mm
Длина
3.05mm
3.05mm
Ширина
1.4mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Код ECCN
-
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn) - annealed
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
Число контактов
-
3
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
Прямоходящий ток коллектора
-
900mA