MMBTH10-7-F Альтернативные части: MMBTH11 ,MMBT123S-7-F

MMBTH10-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 13472

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
25.905165 ₽
25.96 ₽
10
24.438832 ₽
244.37 ₽
100
23.055495 ₽
2,305.49 ₽
500
21.750453 ₽
10,875.27 ₽
1000
20.519286 ₽
20,519.23 ₽

Цена за единицу: 25.905165 ₽

Итоговая цена: 25.96 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMMBTH10-7-F	иMMBTH11	иMMBT123S-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
Описание:	Trans GP BJT NPN 25V 0.05A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R	TRANS NPN 18V 1A SOT23-3
Срок поставки от производителя	15 Weeks	6 Weeks	19 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	30mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	25V	25V	18V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	60	60	150
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2002	2008
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	25V	25V	18V
Максимальная потеря мощности	300mW	225mW	300mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	260
Моментальный ток	50mA	50mA	1A
Частота	650MHz	650MHz	100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-	40
Основной номер части	MMBTH10	MMBTH11	MMBT123S
Число контактов	3	-	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	300mW	225mW	300mW
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	650MHz	650MHz	100MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	25V	25V	18V
Максимальный ток сбора	50mA	50mA	1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	60 @ 4mA 10V	60 @ 4mA 10V	150 @ 100mA 1V
Частота перехода	650MHz	650MHz	100MHz
Максимальное напряжение разрушения	25V	25V	18V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	30V	45V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	3V	3V	5V
Прямоходящий ток коллектора	50mA	50mA	1A
Сопротивление базы-эмиттора макс	0.7pF	0.7pF	-
Высота	1mm	930μm	1mm
Длина	3.05mm	2.92mm	3.05mm
Ширина	1.4mm	1.3mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	LIFETIME (Last Updated: 4 days ago)	-
Выводная мощность	-	225mW	-
Серия	-	-	Automotive, AEC-Q101
Ток - отсечка коллектора (макс)	-	-	1μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	-	-	500mV @ 30mA, 300mA

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMBTH11	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
MMBT123S-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 18V 1A SOT23-3	Для сравнения
KST10MTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 25V 350MW SOT23	Для сравнения
MMBTH10	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANSISTOR RF NPN SOT-23	Для сравнения