MMBTH10-7-F Альтернативные части: MMBT123S-7-F

MMBTH10-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 13472

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
25.905165 ₽
25.96 ₽
10
24.438832 ₽
244.37 ₽
100
23.055495 ₽
2,305.49 ₽
500
21.750453 ₽
10,875.27 ₽
1000
20.519286 ₽
20,519.23 ₽

Цена за единицу: 25.905165 ₽

Итоговая цена: 25.96 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMMBTH10-7-F	иMMBT123S-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans GP BJT NPN 25V 0.05A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	TRANS NPN 18V 1A SOT23-3
Срок поставки от производителя	15 Weeks	19 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	25V	18V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	60	150
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2008
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	25V	18V
Максимальная потеря мощности	300mW	300mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	50mA	1A
Частота	650MHz	100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	MMBTH10	MMBT123S
Число контактов	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	300mW	300mW
Применение транзистора	AMPLIFIER	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	650MHz	100MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	25V	18V
Максимальный ток сбора	50mA	1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	60 @ 4mA 10V	150 @ 100mA 1V
Частота перехода	650MHz	100MHz
Максимальное напряжение разрушения	25V	18V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	45V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	3V	5V
Прямоходящий ток коллектора	50mA	1A
Сопротивление базы-эмиттора макс	0.7pF	-
Высота	1mm	1mm
Длина	3.05mm	3.05mm
Ширина	1.4mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Серия	-	Automotive, AEC-Q101
Ток - отсечка коллектора (макс)	-	1μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	-	500mV @ 30mA, 300mA

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMBTH11	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
MMBT123S-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 18V 1A SOT23-3	Для сравнения
KST10MTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 25V 350MW SOT23	Для сравнения
MMBTH10	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANSISTOR RF NPN SOT-23	Для сравнения