MMBTH10-7-F Альтернативные части: MMBTH10

MMBTH10-7-FDiodes Incorporated

  • MMBTH10-7-FDiodes Incorporated
  • MMBTH10ON Semiconductor

В наличии: 13472

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    25.905165 ₽

    25.96 ₽

  • 10

    24.438832 ₽

    244.37 ₽

  • 100

    23.055495 ₽

    2,305.49 ₽

  • 500

    21.750453 ₽

    10,875.27 ₽

  • 1000

    20.519286 ₽

    20,519.23 ₽

Цена за единицу: 25.905165 ₽

Итоговая цена: 25.96 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR RF NPN SOT-23
Срок поставки от производителя
15 Weeks
14 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
7.994566mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
25V
25V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
60
60
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2007
Код JESD-609
e3
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Код ECCN
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
25V
25V
Максимальная потеря мощности
300mW
225mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Моментальный ток
50mA
50mA
Частота
650MHz
650MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Основной номер части
MMBTH10
MMBTH10
Число контактов
3
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
300mW
225mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
Продуктивность полосы частот
650MHz
650MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
25V
25V
Максимальный ток сбора
50mA
50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
60 @ 4mA 10V
60 @ 4mA 10V
Частота перехода
650MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
25V
25V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
3V
3V
Прямоходящий ток коллектора
50mA
50mA
Сопротивление базы-эмиттора макс
0.7pF
-
Высота
1mm
930μm
Длина
3.05mm
2.92mm
Ширина
1.4mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Покрытие контактов
-
Tin
Поставщик упаковки устройства
-
SOT-23-3 (TO-236)
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
50mA
Максимальная рабочая температура
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-55°C
Направленность
-
NPN
Мощность - Макс
-
225mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
25V
Максимальная частота
-
650MHz
Частота - Переход
-
650MHz