Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MMBTH10-7-F Альтернативные части: KST10MTF
MMBTH10-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 13472
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
25.905165 ₽
25.96 ₽
10
24.438832 ₽
244.37 ₽
100
23.055495 ₽
2,305.49 ₽
500
21.750453 ₽
10,875.27 ₽
1000
20.519286 ₽
20,519.23 ₽
Цена за единицу: 25.905165 ₽
Итоговая цена: 25.96 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | TRANS NPN 25V 350MW SOT23 |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 25V | 25V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 60 | 60 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2002 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 25V | 25V |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 350mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Моментальный ток | 50mA | 4mA |
Частота | 650MHz | 650MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - |
Основной номер части | MMBTH10 | KST10 |
Число контактов | 3 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 300mW | 350mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | - |
Продуктивность полосы частот | 650MHz | 650MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 25V | 25V |
Максимальный ток сбора | 50mA | 50mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 60 @ 4mA 10V | 60 @ 4mA 10V |
Частота перехода | 650MHz | 650MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 25V | 25V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3V | 3V |
Прямоходящий ток коллектора | 50mA | - |
Сопротивление базы-эмиттора макс | 0.7pF | 0.7pF |
Высота | 1mm | 960μm |
Длина | 3.05mm | 2.9mm |
Ширина | 1.4mm | 1.3mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Выводная мощность | - | 350mW |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBTH11 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | MMBT123S-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 18V 1A SOT23-3 | Для сравнения |
| KST10MTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 25V 350MW SOT23 | Для сравнения |
| MMBTH10 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANSISTOR RF NPN SOT-23 | Для сравнения |