MMBTH10-7-F Альтернативные части: MMBTH10 ,MMBTH11

MMBTH10-7-FDiodes Incorporated

  • MMBTH10-7-FDiodes Incorporated
  • MMBTH10ON Semiconductor
  • MMBTH11ON Semiconductor

В наличии: 13472

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    25.905165 ₽

    25.96 ₽

  • 10

    24.438832 ₽

    244.37 ₽

  • 100

    23.055495 ₽

    2,305.49 ₽

  • 500

    21.750453 ₽

    10,875.27 ₽

  • 1000

    20.519286 ₽

    20,519.23 ₽

Цена за единицу: 25.905165 ₽

Итоговая цена: 25.96 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR RF NPN SOT-23
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Срок поставки от производителя
15 Weeks
14 Weeks
6 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
7.994566mg
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
25V
25V
25V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
60
60
60
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2007
2002
Код JESD-609
e3
-
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
3
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
25V
25V
25V
Максимальная потеря мощности
300mW
225mW
225mW
Положение терминала
DUAL
-
DUAL
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
-
Моментальный ток
50mA
50mA
50mA
Частота
650MHz
650MHz
650MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
-
Основной номер части
MMBTH10
MMBTH10
MMBTH11
Число контактов
3
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
300mW
225mW
225mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
650MHz
650MHz
650MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
25V
25V
25V
Максимальный ток сбора
50mA
50mA
50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
60 @ 4mA 10V
60 @ 4mA 10V
60 @ 4mA 10V
Частота перехода
650MHz
-
650MHz
Максимальное напряжение разрушения
25V
25V
25V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
30V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
3V
3V
3V
Прямоходящий ток коллектора
50mA
50mA
50mA
Сопротивление базы-эмиттора макс
0.7pF
-
0.7pF
Высота
1mm
930μm
930μm
Длина
3.05mm
2.92mm
2.92mm
Ширина
1.4mm
1.3mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
LIFETIME (Last Updated: 4 days ago)
Покрытие контактов
-
Tin
-
Поставщик упаковки устройства
-
SOT-23-3 (TO-236)
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
50mA
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Направленность
-
NPN
-
Мощность - Макс
-
225mW
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
25V
-
Максимальная частота
-
650MHz
-
Частота - Переход
-
650MHz
-
Выводная мощность
-
-
225mW