MMBT100 Альтернативные части: MMBT2222A ,KST2222AMTF

MMBT100ON Semiconductor

  • MMBT100ON Semiconductor
  • MMBT2222AON Semiconductor
  • KST2222AMTFON Semiconductor

В наличии: 233

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    3.701923 ₽

    3.71 ₽

  • 10

    3.492376 ₽

    34.89 ₽

  • 100

    3.294698 ₽

    329.53 ₽

  • 500

    3.108201 ₽

    1,554.12 ₽

  • 1000

    2.932266 ₽

    2,932.28 ₽

Цена за единицу: 3.701923 ₽

Итоговая цена: 3.71 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANS NPN 40V 1A SOT-23
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя
39 Weeks
142 Weeks
6 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
30mg
59.987591mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
-
Диэлектрический пробой напряжение
45V
40V
40V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
100
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2016
2004
Код JESD-609
e3
-
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
3
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
45V
40V
40V
Максимальная потеря мощности
350mW
300mW
350mW
Положение терминала
DUAL
-
DUAL
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Моментальный ток
500mA
500mA
600mA
Частота
250MHz
300MHz
300MHz
Основной номер части
MMBT100
MMBT2222
KSP2222
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
350mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
-
Продуктивность полосы частот
250MHz
300MHz
300MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
40V
40V
Максимальный ток сбора
500mA
600mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 150mA 5V
100 @ 150mA 10V
100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA
10nA ICBO
10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 20mA, 200mA
1V @ 50mA, 500mA
1V @ 50mA, 500mA
Частота перехода
250MHz
-
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
45V
40V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
75V
75V
75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
6V
Максимальное напряжение на выходе
0.2 V
-
-
Сопротивление базы-эмиттора макс
4.5pF
-
-
Высота
970μm
1mm
970μm
Длина
2.9mm
3.05mm
2.9mm
Ширина
1.3mm
1.4mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
Unknown
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Поставщик упаковки устройства
-
SOT-23-3
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
1A
-
Завершение
-
SMD/SMT
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-
-55°C
-55°C
Направленность
-
NPN
-
Напряжение
-
40V
-
Текущий
-
6A
-
Мощность - Макс
-
350mW
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
40V
-
Максимальная частота
-
300MHz
-
Частота - Переход
-
300MHz
-
Конечная обработка контакта
-
-
Tin (Sn)
Время выключения максимальное (toff)
-
-
285ns