Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MMBT100 Альтернативные части: KST2222AMTF
MMBT100ON Semiconductor
В наличии: 233
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
3.701923 ₽
3.71 ₽
10
3.492376 ₽
34.89 ₽
100
3.294698 ₽
329.53 ₽
500
3.108201 ₽
1,554.12 ₽
1000
2.932266 ₽
2,932.28 ₽
Цена за единицу: 3.701923 ₽
Итоговая цена: 3.71 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago) |
Срок поставки от производителя | 39 Weeks | 6 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 40V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | 100 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2004 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 45V | 40V |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 350mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 500mA | 600mA |
Частота | 250MHz | 300MHz |
Основной номер части | MMBT100 | KSP2222 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 350mW | 350mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | - |
Продуктивность полосы частот | 250MHz | 300MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 40V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 600mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 150mA 5V | 100 @ 150mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 50nA | 10nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 200mA | 1V @ 50mA, 500mA |
Частота перехода | 250MHz | 300MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 45V | 40V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 75V | 75V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 6V |
Максимальное напряжение на выходе | 0.2 V | - |
Сопротивление базы-эмиттора макс | 4.5pF | - |
Высота | 970μm | 970μm |
Длина | 2.9mm | 2.9mm |
Ширина | 1.3mm | 1.3mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Время выключения максимальное (toff) | - | 285ns |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BCW71 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23 | Для сравнения |
| MMBT2222A | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 40V 1A SOT-23 | Для сравнения |
| KST2222AMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | MMBT2222A-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3 | Для сравнения |