MMBT100 Альтернативные части: BCW71

MMBT100ON Semiconductor

  • MMBT100ON Semiconductor
  • BCW71ON Semiconductor

В наличии: 233

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    3.701923 ₽

    3.71 ₽

  • 10

    3.492376 ₽

    34.89 ₽

  • 100

    3.294698 ₽

    329.53 ₽

  • 500

    3.108201 ₽

    1,554.12 ₽

  • 1000

    2.932266 ₽

    2,932.28 ₽

Цена за единицу: 3.701923 ₽

Итоговая цена: 3.71 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
39 Weeks
39 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
110
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2000
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
45V
45V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
500mA
500mA
Частота
250MHz
330MHz
Основной номер части
MMBT100
BCW71
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
250MHz
330MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
45V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 150mA 5V
110 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA
100μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 20mA, 200mA
250mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода
250MHz
330MHz
Максимальное напряжение разрушения
45V
45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
75V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
5V
Максимальное напряжение на выходе
0.2 V
-
Сопротивление базы-эмиттора макс
4.5pF
-
Высота
970μm
930μm
Длина
2.9mm
2.92mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free