MMBT100 Альтернативные части: MMBT2222A

MMBT100ON Semiconductor

  • MMBT100ON Semiconductor
  • MMBT2222AON Semiconductor

В наличии: 233

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    3.701923 ₽

    3.71 ₽

  • 10

    3.492376 ₽

    34.89 ₽

  • 100

    3.294698 ₽

    329.53 ₽

  • 500

    3.108201 ₽

    1,554.12 ₽

  • 1000

    2.932266 ₽

    2,932.28 ₽

Цена за единицу: 3.701923 ₽

Итоговая цена: 3.71 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANS NPN 40V 1A SOT-23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя
39 Weeks
142 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
59.987591mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
45V
40V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2016
Код JESD-609
e3
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Код ECCN
EAR99
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
45V
40V
Максимальная потеря мощности
350mW
300mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
Моментальный ток
500mA
500mA
Частота
250MHz
300MHz
Основной номер части
MMBT100
MMBT2222
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
Продуктивность полосы частот
250MHz
300MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
40V
Максимальный ток сбора
500mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 150mA 5V
100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA
10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 20mA, 200mA
1V @ 50mA, 500mA
Частота перехода
250MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
45V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
75V
75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
Максимальное напряжение на выходе
0.2 V
-
Сопротивление базы-эмиттора макс
4.5pF
-
Высота
970μm
1mm
Длина
2.9mm
3.05mm
Ширина
1.3mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
Unknown
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Поставщик упаковки устройства
-
SOT-23-3
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
1A
Завершение
-
SMD/SMT
Максимальная рабочая температура
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-55°C
Направленность
-
NPN
Напряжение
-
40V
Текущий
-
6A
Мощность - Макс
-
350mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
40V
Максимальная частота
-
300MHz
Частота - Переход
-
300MHz