MMBT100 Альтернативные части: KST2222AMTF ,MMBT2222A-7-F

MMBT100ON Semiconductor

  • MMBT100ON Semiconductor
  • KST2222AMTFON Semiconductor
  • MMBT2222A-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 233

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    3.701923 ₽

    3.71 ₽

  • 10

    3.492376 ₽

    34.89 ₽

  • 100

    3.294698 ₽

    329.53 ₽

  • 500

    3.108201 ₽

    1,554.12 ₽

  • 1000

    2.932266 ₽

    2,932.28 ₽

Цена за единицу: 3.701923 ₽

Итоговая цена: 3.71 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
-
Срок поставки от производителя
39 Weeks
6 Weeks
19 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
30mg
30mg
7.994566mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
40V
40V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
100
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2004
2008
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
45V
40V
40V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
300mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
500mA
600mA
600mA
Частота
250MHz
300MHz
300MHz
Основной номер части
MMBT100
KSP2222
MMBT2222A
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
350mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
250MHz
300MHz
300MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
40V
40V
Максимальный ток сбора
500mA
600mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 150mA 5V
100 @ 150mA 10V
100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA
10nA ICBO
10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 20mA, 200mA
1V @ 50mA, 500mA
1V @ 50mA, 500mA
Частота перехода
250MHz
300MHz
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
45V
40V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
75V
75V
75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
6V
Максимальное напряжение на выходе
0.2 V
-
-
Сопротивление базы-эмиттора макс
4.5pF
-
-
Высота
970μm
970μm
1.1mm
Длина
2.9mm
2.9mm
3mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Время выключения максимальное (toff)
-
285ns
285ns
Серия
-
-
Automotive, AEC-Q101
Завершение
-
-
SMD/SMT
Дополнительная Характеристика
-
-
HIGH RELIABILITY
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
-
40
Число контактов
-
-
3
Напряжение
-
-
40V
Текущий
-
-
1A
Мощность - Макс
-
-
310mW
Прямоходящий ток коллектора
-
-
600mA