IXGX320N60B3 Альтернативные части: IRG4PC60UPBF ,IXGH30N60C3D1

IXGX320N60B3IXYS

  • IXGX320N60B3IXYS
  • IRG4PC60UPBFInfineon Technologies
  • IXGH30N60C3D1IXYS

В наличии: 300

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    3,499.116154 ₽

    3,499.18 ₽

  • 10

    3,301.052940 ₽

    33,010.58 ₽

  • 100

    3,114.200907 ₽

    311,420.05 ₽

  • 500

    2,937.925371 ₽

    1,468,962.64 ₽

  • 1000

    2,771.627747 ₽

    2,771,627.75 ₽

Цена за единицу: 3,499.116154 ₽

Итоговая цена: 3,499.18 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 500A 3-Pin(3+Tab) TO-247
IGBT 600V 75A 520W TO247AC
IGBT 600V 60A 220W TO247
Срок поставки от производителя
20 Weeks
14 Weeks
30 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Количество элементов
1
1
1
Условия испытания
480V, 100A, 1 Ω, 15V
480V, 40A, 5 Ω, 15V
300V, 20A, 5 Ω, 15V
Пакетирование
Tube
Bulk
Tube
Серия
GenX3™
-
GenX3™
Опубликовано
2010
2000
2009
Код JESD-609
e1
-
e1
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Last Time Buy
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Конечная обработка контакта
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
-
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
-
Дополнительная Характеристика
LOW CONDUCTION LOSS
-
-
Максимальная потеря мощности
1.7kW
520W
220W
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Число контактов
3
-
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
Not Qualified
Конфигурация элемента
Single
Single
-
Распад мощности
1.7kW
520W
220W
Сокетная связка
COLLECTOR
COLLECTOR
COLLECTOR
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Мощность - Макс
1700W
-
-
Применение транзистора
POWER CONTROL
POWER CONTROL
POWER CONTROL
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600V
2V
600V
Максимальный ток сбора
500A
75A
60A
Время включения
115 ns
78 ns
45 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 100A
2V @ 15V, 40A
3V @ 15V, 20A
Время выключения (toff)
780 ns
460 ns
160 ns
Тип ИGBT
PT
-
-
Зарядная мощность
585nC
310nC
38nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
1200A
300A
150A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
44ns/250ns
39ns/200ns
16ns/42ns
Переключаемый энергопотребление
2.7mJ (on), 3.5mJ (off)
280μJ (on), 1.1mJ (off)
270μJ (on), 90μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
20V
20V
20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
5V
6V
5.5V
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Время отключения
-
200 ns
-
Рабочая температура
-
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Код ECCN
-
EAR99
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
600V
-
Моментальный ток
-
75A
-
Время задержки включения
-
39 ns
-
Время подъема
-
42ns
-
Код JEDEC-95
-
TO-247AC
TO-247AD
Высота
-
20.701mm
-
Длина
-
15.875mm
-
Ширина
-
5.3086mm
-
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Без свинца
-
Lead Free
Lead Free
Положение терминала
-
-
SINGLE
Основной номер части
-
-
IXG*30N60
Конфигурация
-
-
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Время обратной рекомпенсации
-
-
25ns
Входной ёмкости
-
-
915pF