IXGX320N60B3 Альтернативные части: IRG4PC60UPBF

IXGX320N60B3IXYS

  • IXGX320N60B3IXYS
  • IRG4PC60UPBFInfineon Technologies

В наличии: 300

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    3,499.116154 ₽

    3,499.18 ₽

  • 10

    3,301.052940 ₽

    33,010.58 ₽

  • 100

    3,114.200907 ₽

    311,420.05 ₽

  • 500

    2,937.925371 ₽

    1,468,962.64 ₽

  • 1000

    2,771.627747 ₽

    2,771,627.75 ₽

Цена за единицу: 3,499.116154 ₽

Итоговая цена: 3,499.18 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 500A 3-Pin(3+Tab) TO-247
IGBT 600V 75A 520W TO247AC
Срок поставки от производителя
20 Weeks
14 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-247-3
TO-247-3
Количество контактов
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
Количество элементов
1
1
Условия испытания
480V, 100A, 1 Ω, 15V
480V, 40A, 5 Ω, 15V
Пакетирование
Tube
Bulk
Серия
GenX3™
-
Опубликовано
2010
2000
Код JESD-609
e1
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Конечная обработка контакта
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
-
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Дополнительная Характеристика
LOW CONDUCTION LOSS
-
Максимальная потеря мощности
1.7kW
520W
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Число контактов
3
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
1.7kW
520W
Сокетная связка
COLLECTOR
COLLECTOR
Входной тип
Standard
Standard
Мощность - Макс
1700W
-
Применение транзистора
POWER CONTROL
POWER CONTROL
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600V
2V
Максимальный ток сбора
500A
75A
Время включения
115 ns
78 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 100A
2V @ 15V, 40A
Время выключения (toff)
780 ns
460 ns
Тип ИGBT
PT
-
Зарядная мощность
585nC
310nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
1200A
300A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
44ns/250ns
39ns/200ns
Переключаемый энергопотребление
2.7mJ (on), 3.5mJ (off)
280μJ (on), 1.1mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
20V
20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
5V
6V
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Время отключения
-
200 ns
Рабочая температура
-
-55°C~150°C TJ
Код ECCN
-
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
600V
Моментальный ток
-
75A
Время задержки включения
-
39 ns
Время подъема
-
42ns
Код JEDEC-95
-
TO-247AC
Высота
-
20.701mm
Длина
-
15.875mm
Ширина
-
5.3086mm
REACH SVHC
-
No SVHC
Без свинца
-
Lead Free