IXGX320N60B3IXYS
В наличии: 300
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
3,499.116154 ₽
3,499.18 ₽
10
3,301.052940 ₽
33,010.58 ₽
100
3,114.200907 ₽
311,420.05 ₽
500
2,937.925371 ₽
1,468,962.64 ₽
1000
2,771.627747 ₽
2,771,627.75 ₽
Цена за единицу: 3,499.116154 ₽
Итоговая цена: 3,499.18 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 600V 500A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | IGBT 600V 60A 308W TO247AD |
Срок поставки от производителя | 20 Weeks | 14 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Условия испытания | 480V, 100A, 1 Ω, 15V | 390V, 22A, 3.3 Ω, 15V |
Пакетирование | Tube | Tube |
Серия | GenX3™ | - |
Опубликовано | 2010 | 2011 |
Код JESD-609 | e1 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Конечная обработка контакта | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - |
Дополнительная Характеристика | LOW CONDUCTION LOSS | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 1.7kW | 308W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Число контактов | 3 | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 1.7kW | 308W |
Сокетная связка | COLLECTOR | COLLECTOR |
Входной тип | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 1700W | - |
Применение транзистора | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 2.55V |
Максимальный ток сбора | 500A | 60A |
Время включения | 115 ns | 34 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 100A | 2.55V @ 15V, 35A |
Время выключения (toff) | 780 ns | 142 ns |
Тип ИGBT | PT | NPT |
Зарядная мощность | 585nC | 55nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 1200A | 120A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 44ns/250ns | 26ns/110ns |
Переключаемый энергопотребление | 2.7mJ (on), 3.5mJ (off) | 220μJ (on), 215μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5V | 5V |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Рабочая температура | - | -55°C~150°C TJ |
Код ECCN | - | EAR99 |
Время подъёма макс | - | 11ns |
Время обратной рекомпенсации | - | 42 ns |
Код JEDEC-95 | - | TO-247AD |
Время падения максимальное (tf) | - | 16ns |
Высота | - | 20.7mm |
Длина | - | 15.87mm |
Ширина | - | 5.31mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |
Без свинца | - | Lead Free |