IXGX320N60B3 Альтернативные части: AUIRGP35B60PD-E

IXGX320N60B3IXYS

  • IXGX320N60B3IXYS
  • AUIRGP35B60PD-EInfineon Technologies

В наличии: 300

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    3,499.116154 ₽

    3,499.18 ₽

  • 10

    3,301.052940 ₽

    33,010.58 ₽

  • 100

    3,114.200907 ₽

    311,420.05 ₽

  • 500

    2,937.925371 ₽

    1,468,962.64 ₽

  • 1000

    2,771.627747 ₽

    2,771,627.75 ₽

Цена за единицу: 3,499.116154 ₽

Итоговая цена: 3,499.18 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 500A 3-Pin(3+Tab) TO-247
IGBT 600V 60A 308W TO247AD
Срок поставки от производителя
20 Weeks
14 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-247-3
TO-247-3
Количество контактов
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
Количество элементов
1
1
Условия испытания
480V, 100A, 1 Ω, 15V
390V, 22A, 3.3 Ω, 15V
Пакетирование
Tube
Tube
Серия
GenX3™
-
Опубликовано
2010
2011
Код JESD-609
e1
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Конечная обработка контакта
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
-
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Дополнительная Характеристика
LOW CONDUCTION LOSS
HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности
1.7kW
308W
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
-
Число контактов
3
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
1.7kW
308W
Сокетная связка
COLLECTOR
COLLECTOR
Входной тип
Standard
Standard
Мощность - Макс
1700W
-
Применение транзистора
POWER CONTROL
POWER CONTROL
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600V
2.55V
Максимальный ток сбора
500A
60A
Время включения
115 ns
34 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 100A
2.55V @ 15V, 35A
Время выключения (toff)
780 ns
142 ns
Тип ИGBT
PT
NPT
Зарядная мощность
585nC
55nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
1200A
120A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
44ns/250ns
26ns/110ns
Переключаемый энергопотребление
2.7mJ (on), 3.5mJ (off)
220μJ (on), 215μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
20V
20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
5V
5V
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Рабочая температура
-
-55°C~150°C TJ
Код ECCN
-
EAR99
Время подъёма макс
-
11ns
Время обратной рекомпенсации
-
42 ns
Код JEDEC-95
-
TO-247AD
Время падения максимальное (tf)
-
16ns
Высота
-
20.7mm
Длина
-
15.87mm
Ширина
-
5.31mm
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No
Без свинца
-
Lead Free