IXGX320N60B3 Альтернативные части: IXGH30N60C3D1

IXGX320N60B3IXYS

  • IXGX320N60B3IXYS
  • IXGH30N60C3D1IXYS

В наличии: 300

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    3,499.116154 ₽

    3,499.18 ₽

  • 10

    3,301.052940 ₽

    33,010.58 ₽

  • 100

    3,114.200907 ₽

    311,420.05 ₽

  • 500

    2,937.925371 ₽

    1,468,962.64 ₽

  • 1000

    2,771.627747 ₽

    2,771,627.75 ₽

Цена за единицу: 3,499.116154 ₽

Итоговая цена: 3,499.18 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 500A 3-Pin(3+Tab) TO-247
IGBT 600V 60A 220W TO247
Срок поставки от производителя
20 Weeks
30 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-247-3
TO-247-3
Количество контактов
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
Количество элементов
1
1
Условия испытания
480V, 100A, 1 Ω, 15V
300V, 20A, 5 Ω, 15V
Пакетирование
Tube
Tube
Серия
GenX3™
GenX3™
Опубликовано
2010
2009
Код JESD-609
e1
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Конечная обработка контакта
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Дополнительная Характеристика
LOW CONDUCTION LOSS
-
Максимальная потеря мощности
1.7kW
220W
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Число контактов
3
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
Конфигурация элемента
Single
-
Распад мощности
1.7kW
220W
Сокетная связка
COLLECTOR
COLLECTOR
Входной тип
Standard
Standard
Мощность - Макс
1700W
-
Применение транзистора
POWER CONTROL
POWER CONTROL
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600V
600V
Максимальный ток сбора
500A
60A
Время включения
115 ns
45 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 100A
3V @ 15V, 20A
Время выключения (toff)
780 ns
160 ns
Тип ИGBT
PT
-
Зарядная мощность
585nC
38nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
1200A
150A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
44ns/250ns
16ns/42ns
Переключаемый энергопотребление
2.7mJ (on), 3.5mJ (off)
270μJ (on), 90μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
20V
20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
5V
5.5V
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Рабочая температура
-
-55°C~150°C TJ
Положение терминала
-
SINGLE
Основной номер части
-
IXG*30N60
Конфигурация
-
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Время обратной рекомпенсации
-
25ns
Код JEDEC-95
-
TO-247AD
Входной ёмкости
-
915pF
Без свинца
-
Lead Free