IXGX320N60B3 Альтернативные части: AUIRGP35B60PD-E ,IRG4PC60UPBF

IXGX320N60B3IXYS

В наличии: 300

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
3,499.116154 ₽
3,499.18 ₽
10
3,301.052940 ₽
33,010.58 ₽
100
3,114.200907 ₽
311,420.05 ₽
500
2,937.925371 ₽
1,468,962.64 ₽
1000
2,771.627747 ₽
2,771,627.75 ₽

Цена за единицу: 3,499.116154 ₽

Итоговая цена: 3,499.18 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIXGX320N60B3	иAUIRGP35B60PD-E	иIRG4PC60UPBF
Производитель:	IXYS	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 500A 3-Pin(3+Tab) TO-247	IGBT 600V 60A 308W TO247AD	IGBT 600V 75A 520W TO247AC
Срок поставки от производителя	20 Weeks	14 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	1	1
Условия испытания	480V, 100A, 1 Ω, 15V	390V, 22A, 3.3 Ω, 15V	480V, 40A, 5 Ω, 15V
Пакетирование	Tube	Tube	Bulk
Серия	GenX3™	-	-
Опубликовано	2010	2011	2000
Код JESD-609	e1	-	-
Безоловая кодировка	yes	-	-
Состояние изделия	Active	Obsolete	Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Конечная обработка контакта	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	-
Максимальная рабочая температура	150°C	-	-
Минимальная температура работы	-55°C	-	-
Дополнительная Характеристика	LOW CONDUCTION LOSS	HIGH RELIABILITY	-
Максимальная потеря мощности	1.7kW	308W	520W
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
Число контактов	3	-	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	Not Qualified
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	1.7kW	308W	520W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	1700W	-	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	2.55V	2V
Максимальный ток сбора	500A	60A	75A
Время включения	115 ns	34 ns	78 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1.6V @ 15V, 100A	2.55V @ 15V, 35A	2V @ 15V, 40A
Время выключения (toff)	780 ns	142 ns	460 ns
Тип ИGBT	PT	NPT	-
Зарядная мощность	585nC	55nC	310nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	1200A	120A	300A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	44ns/250ns	26ns/110ns	39ns/200ns
Переключаемый энергопотребление	2.7mJ (on), 3.5mJ (off)	220μJ (on), 215μJ (off)	280μJ (on), 1.1mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5V	5V	6V
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Рабочая температура	-	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Время подъёма макс	-	11ns	-
Время обратной рекомпенсации	-	42 ns	-
Код JEDEC-95	-	TO-247AD	TO-247AC
Время падения максимальное (tf)	-	16ns	-
Высота	-	20.7mm	20.701mm
Длина	-	15.87mm	15.875mm
Ширина	-	5.31mm	5.3086mm
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	-	No	-
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free
Время отключения	-	-	200 ns
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	600V
Моментальный ток	-	-	75A
Время задержки включения	-	-	39 ns
Время подъема	-	-	42ns

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IXGH30N60C3D1	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 60A 220W TO247	Для сравнения
IXGH56N60A3	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT Modules GenX3 600V IGBTs	Для сравнения
AUIRGP35B60PD-E	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 60A 308W TO247AD	Для сравнения
IRG4PC60UPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 75A 520W TO247AC	Для сравнения