Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DDTC144VE-7-F Альтернативные части: FJY3002R ,DDTC113ZE-7
DDTC144VE-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 1755
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
9.766058 ₽
9.75 ₽
500
7.180907 ₽
3,590.38 ₽
1000
5.984093 ₽
5,984.07 ₽
2000
5.489973 ₽
10,979.95 ₽
5000
5.130852 ₽
25,654.26 ₽
10000
4.772885 ₽
47,728.85 ₽
15000
4.615920 ₽
69,238.74 ₽
50000
4.538777 ₽
226,938.87 ₽
Цена за единицу: 9.766058 ₽
Итоговая цена: 9.75 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 47K | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 2 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-523 | SC-89, SOT-490 | SOT-523 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 2.012816mg | 30mg | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 33 | 30 | 33 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2013 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e0 |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21 | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.29.00.95 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 40V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 200mW | 150mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | FLAT | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 235 |
Моментальный ток | 100mA | 100mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | 10 |
Число контактов | 3 | - | 3 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - | Not Qualified |
Направленность | NPN | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 50V | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | 33 | - | - |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA | - |
Высота | 750μm | 780μm | - |
Длина | 1.6mm | 1.7mm | - |
Ширина | 800μm | 980μm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Contains Lead |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | - |
Вид крепления | - | Surface Mount | Surface Mount |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Основной номер части | - | FJY3002 | - |
Распад мощности | - | 200mW | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | - |
Тип транзистора | - | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased + Diode |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | - | 30 @ 5mA 5V | 33 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 100nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота - Переход | - | 250MHz | 250MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 50V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 10V | - |
База (R1) | - | 10 k Ω | 1 k Ω |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 10 k Ω | 10 k Ω |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | - | No | - |
Код соответствия REACH | - | - | not_compliant |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DDTC123YE-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-523 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 | Для сравнения |
| DDTC123YE-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-523 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 2.2KW 10KW | Для сравнения |
 | FJY3002R | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-89, SOT-490 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE | Для сравнения |
| DDTC113ZE-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-523 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 | Для сравнения |