DDTC144VE-7-F Альтернативные части: DDTC113ZE-7

DDTC144VE-7-FDiodes Incorporated

  • DDTC144VE-7-FDiodes Incorporated
  • DDTC113ZE-7Diodes Incorporated

В наличии: 1755

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    9.766058 ₽

    9.75 ₽

  • 500

    7.180907 ₽

    3,590.38 ₽

  • 1000

    5.984093 ₽

    5,984.07 ₽

  • 2000

    5.489973 ₽

    10,979.95 ₽

  • 5000

    5.130852 ₽

    25,654.26 ₽

  • 10000

    4.772885 ₽

    47,728.85 ₽

  • 15000

    4.615920 ₽

    69,238.74 ₽

  • 50000

    4.538777 ₽

    226,938.87 ₽

Цена за единицу: 9.766058 ₽

Итоговая цена: 9.75 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 47K
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Срок поставки от производителя
14 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-523
SOT-523
Количество контактов
3
3
Вес
2.012816mg
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
33
33
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2007
Код JESD-609
e3
e0
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Tin/Lead (Sn85Pb15)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
Максимальная потеря мощности
150mW
150mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
235
Моментальный ток
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
10
Число контактов
3
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
Направленность
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
33
-
Прямоходящий ток коллектора
100mA
-
Высота
750μm
-
Длина
1.6mm
-
Ширина
800μm
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Contains Lead
Вид крепления
-
Surface Mount
Код соответствия REACH
-
not_compliant
Тип транзистора
-
NPN - Pre-Biased + Diode
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
33 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
300mV @ 500μA, 10mA
Частота - Переход
-
250MHz
База (R1)
-
1 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
10 k Ω