Все продукты

Войти
ПроизводителиЗапрос котировок Блогисвязаться с намикомпании AKCEL

Место отправки: Китай

+852-8177 7669
Главная /Каталог товаров /DDTC144VE-7-F Против DDTC123YE-7-F /

DDTC144VE-7-F Альтернативные части: DDTC123YE-7-F

DDTC144VE-7-FDiodes Incorporated

  • DDTC144VE-7-FDiodes Incorporated
  • DDTC123YE-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 1755

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    9.766058 ₽

    9.75 ₽

  • 500

    7.180907 ₽

    3,590.38 ₽

  • 1000

    5.984093 ₽

    5,984.07 ₽

  • 2000

    5.489973 ₽

    10,979.95 ₽

  • 5000

    5.130852 ₽

    25,654.26 ₽

  • 10000

    4.772885 ₽

    47,728.85 ₽

  • 15000

    4.615920 ₽

    69,238.74 ₽

  • 50000

    4.538777 ₽

    226,938.87 ₽

Цена за единицу: 9.766058 ₽

Итоговая цена: 9.75 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
иDDTC144VE-7-FDDTC144VE-7-F
иDDTC123YE-7-FDDTC123YE-7-F
Производитель:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Описание:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 47K
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Срок поставки от производителя
14 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-523
SOT-523
Количество контактов
3
3
Вес
2.012816mg
2.012816mg
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
33
33
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2007
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
Максимальная потеря мощности
150mW
150mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Число контактов
3
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
Направленность
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
33
33
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
Высота
750μm
750μm
Длина
1.6mm
1.6mm
Ширина
800μm
800μm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

НаименованиеАртикулПроизводительКатегорияУпаковкаОписаниеДля сравнения
DDTC123YE-7-FDDTC123YE-7-FDiodes IncorporatedТранзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные СмещенныеSOT-523TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Для сравнения
DDTC123YE-7DDTC123YE-7Diodes IncorporatedТранзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные СмещенныеSOT-523Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 2.2KW 10KW Для сравнения
FJY3002RFJY3002RON SemiconductorТранзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные СмещенныеSC-89, SOT-490FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE Для сравнения
DDTC113ZE-7DDTC113ZE-7Diodes IncorporatedТранзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные СмещенныеSOT-523TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Для сравнения
(0 шт.)

Он пуст.