DDTC144VE-7-F Альтернативные части: FJY3002R

DDTC144VE-7-FDiodes Incorporated

  • DDTC144VE-7-FDiodes Incorporated
  • FJY3002RON Semiconductor

В наличии: 1755

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    9.766058 ₽

    9.75 ₽

  • 500

    7.180907 ₽

    3,590.38 ₽

  • 1000

    5.984093 ₽

    5,984.07 ₽

  • 2000

    5.489973 ₽

    10,979.95 ₽

  • 5000

    5.130852 ₽

    25,654.26 ₽

  • 10000

    4.772885 ₽

    47,728.85 ₽

  • 15000

    4.615920 ₽

    69,238.74 ₽

  • 50000

    4.538777 ₽

    226,938.87 ₽

Цена за единицу: 9.766058 ₽

Итоговая цена: 9.75 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 47K
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
Срок поставки от производителя
14 Weeks
2 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-523
SC-89, SOT-490
Количество контактов
3
3
Вес
2.012816mg
30mg
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
33
30
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2013
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
40V
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Моментальный ток
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Число контактов
3
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Направленность
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
33
-
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
Высота
750μm
780μm
Длина
1.6mm
1.7mm
Ширина
800μm
980μm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Вид крепления
-
Surface Mount
Завершение
-
SMD/SMT
Основной номер части
-
FJY3002
Распад мощности
-
200mW
Применение транзистора
-
SWITCHING
Тип транзистора
-
NPN - Pre-Biased
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
30 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
300mV @ 500μA, 10mA
Частота - Переход
-
250MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
10V
База (R1)
-
10 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
10 k Ω
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No