DDTC144VE-7-F Альтернативные части: DDTC123YE-7 ,FJY3002R

DDTC144VE-7-FDiodes Incorporated

  • DDTC144VE-7-FDiodes Incorporated
  • DDTC123YE-7Diodes Incorporated
  • FJY3002RON Semiconductor

В наличии: 1755

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    9.766058 ₽

    9.75 ₽

  • 500

    7.180907 ₽

    3,590.38 ₽

  • 1000

    5.984093 ₽

    5,984.07 ₽

  • 2000

    5.489973 ₽

    10,979.95 ₽

  • 5000

    5.130852 ₽

    25,654.26 ₽

  • 10000

    4.772885 ₽

    47,728.85 ₽

  • 15000

    4.615920 ₽

    69,238.74 ₽

  • 50000

    4.538777 ₽

    226,938.87 ₽

Цена за единицу: 9.766058 ₽

Итоговая цена: 9.75 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 47K
Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 2.2KW 10KW
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
Срок поставки от производителя
14 Weeks
-
2 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-523
SOT-523
SC-89, SOT-490
Количество контактов
3
3
3
Вес
2.012816mg
2.012816mg
30mg
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
33
33
30
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2007
2013
Код JESD-609
e3
e0
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Discontinued
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Tin/Lead (Sn85Pb15)
Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
40V
Максимальная потеря мощности
150mW
150mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
235
-
Моментальный ток
100mA
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
10
-
Число контактов
3
3
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
-
Направленность
NPN
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
300mV
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
33
33
-
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
100mA
Высота
750μm
750μm
780μm
Длина
1.6mm
1.6mm
1.7mm
Ширина
800μm
800μm
980μm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Contains Lead
Lead Free
Код соответствия REACH
-
not_compliant
-
Состояние жизненного цикла
-
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Вид крепления
-
-
Surface Mount
Завершение
-
-
SMD/SMT
Основной номер части
-
-
FJY3002
Распад мощности
-
-
200mW
Применение транзистора
-
-
SWITCHING
Тип транзистора
-
-
NPN - Pre-Biased
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
-
30 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
-
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
-
300mV @ 500μA, 10mA
Частота - Переход
-
-
250MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
-
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
-
10V
База (R1)
-
-
10 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
-
10 k Ω
REACH SVHC
-
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
-
No