CPH5517-TL-E Альтернативные части: CPH5524-TL-E ,CPH5504-TL-E

CPH5517-TL-EON Semiconductor

  • CPH5517-TL-EON Semiconductor
  • CPH5524-TL-EON Semiconductor
  • CPH5504-TL-EON Semiconductor

В наличии: 143

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    59.485934 ₽

    59.48 ₽

  • 10

    56.118832 ₽

    561.13 ₽

  • 100

    52.942294 ₽

    5,294.23 ₽

  • 500

    49.945536 ₽

    24,972.80 ₽

  • 1000

    47.118420 ₽

    47,118.41 ₽

Цена за единицу: 59.485934 ₽

Итоговая цена: 59.48 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH
ON Semi CPH5524-TL-E Dual NPN+PNP Bipolar Transistor; 3 A; 50 V; 5-Pin CPH
Trans GP BJT NPN 50V 3A 5-Pin CPH T/R
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
2 Weeks
13 Weeks
2 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
-
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Поверхностный монтаж
YES
YES
-
Количество контактов
5
5
5
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
2
-
Минимальная частота работы в герцах
200
200
-
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2012
2012
2013
Код JESD-609
e6
e6
e6
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
5
5
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
900mW
1.2W
900mW
Положение терминала
DUAL
-
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
-
Число контактов
5
5
5
Направленность
NPN, PNP
NPN, PNP
NPN
Конфигурация
COMMON BASE, 2 ELEMENTS
-
-
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
-
Тип транзистора
NPN, PNP (Common Base)
NPN, PNP (Emitter Coupled)
2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
50V
Максимальный ток сбора
1A
3A
3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
200 @ 100mA 2V
200 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
1μA ICBO
1μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
430mV @ 10mA, 500mA
240mV @ 100mA, 2A
210mV @ 100mA, 2A
Максимальная частота
1MHz
390MHz
380MHz
Частота перехода
420MHz
380MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
-
Частота - Переход
420MHz
-
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
100V
100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
6V
6V
Высота
900μm
900μm
900μm
Длина
2.9mm
2.9mm
2.9mm
Ширина
1.6mm
1.6mm
1.6mm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Код соответствия REACH
-
not_compliant
not_compliant
Конфигурация элемента
-
Dual
Dual
Распад мощности
-
1.2W
-
Продуктивность полосы частот
-
380MHz
380MHz
Монтаж
-
-
Surface Mount
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
-
3A
Мощность - Макс
-
-
1.2W