CPH5517-TL-EON Semiconductor
В наличии: 143
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
59.485934 ₽
59.48 ₽
10
56.118832 ₽
561.13 ₽
100
52.942294 ₽
5,294.23 ₽
500
49.945536 ₽
24,972.80 ₽
1000
47.118420 ₽
47,118.41 ₽
Цена за единицу: 59.485934 ₽
Итоговая цена: 59.48 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH | ON Semi CPH5524-TL-E Dual NPN+PNP Bipolar Transistor; 3 A; 50 V; 5-Pin CPH |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | 13 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 5 | 5 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 200 | 200 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | 2012 |
Код JESD-609 | e6 | e6 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 5 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 900mW | 1.2W |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Число контактов | 5 | 5 |
Направленность | NPN, PNP | NPN, PNP |
Конфигурация | COMMON BASE, 2 ELEMENTS | - |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Тип транзистора | NPN, PNP (Common Base) | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 1A | 3A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 100mA 2V | 200 @ 100mA 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 1μA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 430mV @ 10mA, 500mA | 240mV @ 100mA, 2A |
Максимальная частота | 1MHz | 390MHz |
Частота перехода | 420MHz | 380MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 420MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 60V | 100V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 6V |
Высота | 900μm | 900μm |
Длина | 2.9mm | 2.9mm |
Ширина | 1.6mm | 1.6mm |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
Код соответствия REACH | - | not_compliant |
Конфигурация элемента | - | Dual |
Распад мощности | - | 1.2W |
Продуктивность полосы частот | - | 380MHz |