CPH5517-TL-E Альтернативные части: CPH5506-TL-E

CPH5517-TL-EON Semiconductor

В наличии: 143

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
59.485934 ₽
59.48 ₽
10
56.118832 ₽
561.13 ₽
100
52.942294 ₽
5,294.23 ₽
500
49.945536 ₽
24,972.80 ₽
1000
47.118420 ₽
47,118.41 ₽

Цена за единицу: 59.485934 ₽

Итоговая цена: 59.48 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иCPH5517-TL-E	иCPH5506-TL-E
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH	TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5CPH
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя	2 Weeks	7 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Поверхностный монтаж	YES	YES
Количество контактов	5	5
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	50V	30V
Количество элементов	2	2
Минимальная частота работы в герцах	200	200
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2012	2012
Код JESD-609	e6	e6
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	5
Код ECCN	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	900mW	1.2W
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Число контактов	5	5
Направленность	NPN, PNP	NPN, PNP
Конфигурация	COMMON BASE, 2 ELEMENTS	-
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Тип транзистора	NPN, PNP (Common Base)	NPN, PNP (Emitter Coupled)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	30V
Максимальный ток сбора	1A	1.5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 100mA 2V	200 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	430mV @ 10mA, 500mA	225mV @ 15mA, 750mA / 375mV @ 15mA, 750mA
Максимальная частота	1MHz	-
Частота перехода	420MHz	500MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	30V
Частота - Переход	420MHz	500MHz 450MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	60V	40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V
Высота	900μm	900μm
Длина	2.9mm	2.9mm
Ширина	1.6mm	1.6mm
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Конфигурация элемента	-	Dual
Распад мощности	-	1.2W
Продуктивность полосы частот	-	500MHz

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
CPH5506-TL-E	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5CPH	Для сравнения
QSL12TR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	TRANS NPN 30V 1A TSMT5	Для сравнения
CPH5524-TL-E	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	ON Semi CPH5524-TL-E Dual NPN+PNP Bipolar Transistor; 3 A; 50 V; 5-Pin CPH	Для сравнения
CPH5504-TL-E	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Trans GP BJT NPN 50V 3A 5-Pin CPH T/R	Для сравнения