CPH5517-TL-E Альтернативные части: CPH5504-TL-E

CPH5517-TL-EON Semiconductor

  • CPH5517-TL-EON Semiconductor
  • CPH5504-TL-EON Semiconductor

В наличии: 143

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    59.485934 ₽

    59.48 ₽

  • 10

    56.118832 ₽

    561.13 ₽

  • 100

    52.942294 ₽

    5,294.23 ₽

  • 500

    49.945536 ₽

    24,972.80 ₽

  • 1000

    47.118420 ₽

    47,118.41 ₽

Цена за единицу: 59.485934 ₽

Итоговая цена: 59.48 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH
Trans GP BJT NPN 50V 3A 5-Pin CPH T/R
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
2 Weeks
2 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Поверхностный монтаж
YES
-
Количество контактов
5
5
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
2
-
Минимальная частота работы в герцах
200
-
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2012
2013
Код JESD-609
e6
e6
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
5
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
900mW
900mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
Число контактов
5
5
Направленность
NPN, PNP
NPN
Конфигурация
COMMON BASE, 2 ELEMENTS
-
Применение транзистора
SWITCHING
-
Тип транзистора
NPN, PNP (Common Base)
2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
Максимальный ток сбора
1A
3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
200 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
1μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
430mV @ 10mA, 500mA
210mV @ 100mA, 2A
Максимальная частота
1MHz
380MHz
Частота перехода
420MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
50V
-
Частота - Переход
420MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
6V
Высота
900μm
900μm
Длина
2.9mm
2.9mm
Ширина
1.6mm
1.6mm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Монтаж
-
Surface Mount
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
3A
Конечная обработка контакта
-
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Код соответствия REACH
-
not_compliant
Конфигурация элемента
-
Dual
Мощность - Макс
-
1.2W
Продуктивность полосы частот
-
380MHz