CPH5517-TL-E Альтернативные части: CPH5506-TL-E ,QSL12TR

CPH5517-TL-EON Semiconductor

В наличии: 143

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
59.485934 ₽
59.48 ₽
10
56.118832 ₽
561.13 ₽
100
52.942294 ₽
5,294.23 ₽
500
49.945536 ₽
24,972.80 ₽
1000
47.118420 ₽
47,118.41 ₽

Цена за единицу: 59.485934 ₽

Итоговая цена: 59.48 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иCPH5517-TL-E	иCPH5506-TL-E	иQSL12TR
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH	TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5CPH	TRANS NPN 30V 1A TSMT5
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	-
Срок поставки от производителя	2 Weeks	7 Weeks	20 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	-
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Поверхностный монтаж	YES	YES	-
Количество контактов	5	5	5
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	50V	30V	30V
Количество элементов	2	2	1
Минимальная частота работы в герцах	200	200	270
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2012	2012	2005
Код JESD-609	e6	e6	e1
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	5	5
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	900mW	1.2W	500mW
Положение терминала	DUAL	-	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Число контактов	5	5	5
Направленность	NPN, PNP	NPN, PNP	NPN
Конфигурация	COMMON BASE, 2 ELEMENTS	-	-
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Тип транзистора	NPN, PNP (Common Base)	NPN, PNP (Emitter Coupled)	NPN + Diode (Isolated)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	30V	30V
Максимальный ток сбора	1A	1.5A	1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 100mA 2V	200 @ 100mA 2V	270 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	430mV @ 10mA, 500mA	225mV @ 15mA, 750mA / 375mV @ 15mA, 750mA	350mV @ 25mA, 500mA
Максимальная частота	1MHz	-	-
Частота перехода	420MHz	500MHz	320MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	30V	-
Частота - Переход	420MHz	500MHz 450MHz	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	60V	40V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	6V
Высота	900μm	900μm	-
Длина	2.9mm	2.9mm	-
Ширина	1.6mm	1.6mm	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Конфигурация элемента	-	Dual	Single
Распад мощности	-	1.2W	-
Продуктивность полосы частот	-	500MHz	320MHz
Монтаж	-	-	Surface Mount
Конечная обработка контакта	-	-	TIN SILVER COPPER
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	10
Прямоходящий ток коллектора	-	-	1A
Корпусировка на излучение	-	-	No

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
CPH5506-TL-E	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5CPH	Для сравнения
QSL12TR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	TRANS NPN 30V 1A TSMT5	Для сравнения
CPH5524-TL-E	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	ON Semi CPH5524-TL-E Dual NPN+PNP Bipolar Transistor; 3 A; 50 V; 5-Pin CPH	Для сравнения
CPH5504-TL-E	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Trans GP BJT NPN 50V 3A 5-Pin CPH T/R	Для сравнения