Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BCX70H Альтернативные части: BCW66G ,BC817-40-7-F
BCX70HON Semiconductor
В наличии: 50000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.478654 ₽
5.49 ₽
500
4.028448 ₽
2,014.29 ₽
1000
3.357019 ₽
3,357.01 ₽
2000
3.079835 ₽
6,159.62 ₽
5000
2.878352 ₽
14,391.76 ₽
10000
2.677541 ₽
26,775.41 ₽
15000
2.589464 ₽
38,842.03 ₽
50000
2.546195 ₽
127,309.75 ₽
Цена за единицу: 5.478654 ₽
Итоговая цена: 5.49 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | DIODES INC. - BC817-40-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 500 mA, 250 hFE |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 8 Weeks | 19 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 59.987591mg | 30mg | 7.994566mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 45V | 45V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 180 | 160 | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2002 | 2002 | 2005 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - | 3 |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -65°C | -55°C | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 45V | 45V | - |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 350mW | 310mW |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - | 260 |
Моментальный ток | 200mA | 1A | - |
Частота | 125MHz | 100MHz | 100MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - | 40 |
Основной номер части | BCX70 | BCW66 | BC817 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - | - |
Напряжение | 45V | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Текущий | 1A | - | - |
Распад мощности | 350mW | 350mW | 350mW |
Продуктивность полосы частот | 250MHz | 170MHz | 100MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | - | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 45V | 45V |
Максимальный ток сбора | 200mA | 1A | 800mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 180 @ 2mA 5V | 160 @ 100mA 1V | 250 @ 100mA 1V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 20nA | 20nA | 100nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA | 700mV @ 50mA, 500mA | 700mV @ 50mA, 500mA |
Частота перехода | 125MHz | - | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 25V | 45V | 45V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 45V | 75V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V | 5V |
Время выключения максимальное (toff) | 800ns | - | - |
Высота | 930μm | 930μm | 1mm |
Длина | 2.92mm | 2.9mm | 3.05mm |
Ширина | 1.3mm | 1.3mm | 1.4mm |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Поставщик упаковки устройства | - | SOT-23-3 | - |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | 1A | 500mA |
Рабочая температура | - | -55°C~150°C TJ | -65°C~150°C TJ |
Направленность | - | NPN | - |
Мощность - Макс | - | 350mW | - |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | 45V | - |
Максимальная частота | - | 100MHz | - |
Частота - Переход | - | 100MHz | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Материал элемента транзистора | - | - | SILICON |
Серия | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
Дополнительная Характеристика | - | - | HIGH RELIABILITY |
Число контактов | - | - | 3 |
Применение транзистора | - | - | SWITCHING |
Корпусировка на излучение | - | - | No |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC817-40-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODES INC. - BC817-40-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 500 mA, 250 hFE | Для сравнения |
 | BCX70K | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 45V 0.2A SOT-23 | Для сравнения |
| BCX70G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| BCW66G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | Для сравнения |