BCX70H Альтернативные части: BC817-40-7-F

BCX70HON Semiconductor

В наличии: 50000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.478654 ₽
5.49 ₽
500
4.028448 ₽
2,014.29 ₽
1000
3.357019 ₽
3,357.01 ₽
2000
3.079835 ₽
6,159.62 ₽
5000
2.878352 ₽
14,391.76 ₽
10000
2.677541 ₽
26,775.41 ₽
15000
2.589464 ₽
38,842.03 ₽
50000
2.546195 ₽
127,309.75 ₽

Цена за единицу: 5.478654 ₽

Итоговая цена: 5.49 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBCX70H	иBC817-40-7-F
Производитель:	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
Описание:	Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP	DIODES INC. - BC817-40-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 500 mA, 250 hFE
Состояние жизненного цикла	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)	-
Срок поставки от производителя	14 Weeks	19 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	59.987591mg	7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение	45V	45V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	180	-
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2002	2005
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Максимальная рабочая температура	150°C	-
Минимальная температура работы	-65°C	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	45V	-
Максимальная потеря мощности	350mW	310mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	260
Моментальный ток	200mA	-
Частота	125MHz	100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	40
Основной номер части	BCX70	BC817
Квалификационный Статус	Not Qualified	-
Напряжение	45V	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Текущий	1A	-
Распад мощности	350mW	350mW
Продуктивность полосы частот	250MHz	100MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	45V
Максимальный ток сбора	200mA	800mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	180 @ 2mA 5V	250 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)	20nA	100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	550mV @ 1.25mA, 50mA	700mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода	125MHz	100MHz
Максимальное напряжение разрушения	25V	45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	45V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V
Время выключения максимальное (toff)	800ns	-
Высота	930μm	1mm
Длина	2.92mm	3.05mm
Ширина	1.3mm	1.4mm
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Материал элемента транзистора	-	SILICON
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	500mA
Рабочая температура	-	-65°C~150°C TJ
Серия	-	Automotive, AEC-Q101
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY
Число контактов	-	3
Применение транзистора	-	SWITCHING
REACH SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC817-40-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DIODES INC. - BC817-40-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 500 mA, 250 hFE	Для сравнения
BCX70K	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 45V 0.2A SOT-23	Для сравнения
BCX70G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
BCW66G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP	Для сравнения