BCX70H Альтернативные части: BCW66G

BCX70HON Semiconductor

  • BCX70HON Semiconductor
  • BCW66GON Semiconductor

В наличии: 50000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.478654 ₽

    5.49 ₽

  • 500

    4.028448 ₽

    2,014.29 ₽

  • 1000

    3.357019 ₽

    3,357.01 ₽

  • 2000

    3.079835 ₽

    6,159.62 ₽

  • 5000

    2.878352 ₽

    14,391.76 ₽

  • 10000

    2.677541 ₽

    26,775.41 ₽

  • 15000

    2.589464 ₽

    38,842.03 ₽

  • 50000

    2.546195 ₽

    127,309.75 ₽

Цена за единицу: 5.478654 ₽

Итоговая цена: 5.49 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
14 Weeks
8 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
59.987591mg
30mg
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
180
160
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2002
2002
Код JESD-609
e3
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Код ECCN
EAR99
-
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-65°C
-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный
45V
45V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
-
Моментальный ток
200mA
1A
Частота
125MHz
100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
-
Основной номер части
BCX70
BCW66
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Напряжение
45V
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Текущий
1A
-
Распад мощности
350mW
350mW
Продуктивность полосы частот
250MHz
170MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
45V
Максимальный ток сбора
200mA
1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
180 @ 2mA 5V
160 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
20nA
20nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
550mV @ 1.25mA, 50mA
700mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода
125MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
25V
45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
45V
75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Время выключения максимальное (toff)
800ns
-
Высота
930μm
930μm
Длина
2.92mm
2.9mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Поставщик упаковки устройства
-
SOT-23-3
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
1A
Рабочая температура
-
-55°C~150°C TJ
Направленность
-
NPN
Мощность - Макс
-
350mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
45V
Максимальная частота
-
100MHz
Частота - Переход
-
100MHz
REACH SVHC
-
No SVHC