BCX70H Альтернативные части: BCX70K

BCX70HON Semiconductor

  • BCX70HON Semiconductor
  • BCX70KON Semiconductor

В наличии: 50000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.478654 ₽

    5.49 ₽

  • 500

    4.028448 ₽

    2,014.29 ₽

  • 1000

    3.357019 ₽

    3,357.01 ₽

  • 2000

    3.079835 ₽

    6,159.62 ₽

  • 5000

    2.878352 ₽

    14,391.76 ₽

  • 10000

    2.677541 ₽

    26,775.41 ₽

  • 15000

    2.589464 ₽

    38,842.03 ₽

  • 50000

    2.546195 ₽

    127,309.75 ₽

Цена за единицу: 5.478654 ₽

Итоговая цена: 5.49 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP
TRANS NPN 45V 0.2A SOT-23
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
14 Weeks
39 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
59.987591mg
30mg
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
180
380
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2002
2002
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-65°C
-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный
45V
45V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
-
Моментальный ток
200mA
200mA
Частота
125MHz
125MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
-
Основной номер части
BCX70
BCX70
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Напряжение
45V
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Текущий
1A
-
Распад мощности
350mW
350mW
Продуктивность полосы частот
250MHz
125MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
45V
Максимальный ток сбора
200mA
200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
180 @ 2mA 5V
380 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
20nA
20nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
550mV @ 1.25mA, 50mA
550mV @ 1.25mA, 50mA
Частота перехода
125MHz
125MHz
Максимальное напряжение разрушения
25V
45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
45V
45V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Время выключения максимальное (toff)
800ns
800ns
Высота
930μm
930μm
Длина
2.92mm
2.92mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No