BC847BS-7-F Альтернативные части: SBC847CDW1T1G

BC847BS-7-FDiodes Incorporated

  • BC847BS-7-FDiodes Incorporated
  • SBC847CDW1T1GON Semiconductor

В наличии: 2492

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    2.162225 ₽

    2.20 ₽

  • 10

    2.039835 ₽

    20.33 ₽

  • 100

    1.924368 ₽

    192.45 ₽

  • 500

    1.815440 ₽

    907.69 ₽

  • 1000

    1.712679 ₽

    1,712.64 ₽

Цена за единицу: 2.162225 ₽

Итоговая цена: 2.20 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANSISTOR, NPN/NPN, SOT363
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R
Срок поставки от производителя
15 Weeks
8 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов
6
6
Вес
6.010099mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
Количество элементов
2
2
Минимальная частота работы в герцах
200
-
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2007
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
-
Максимальная потеря мощности
200mW
380mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Частота
100MHz
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Основной номер части
BC847BS
BC847CD
Число контактов
6
6
Направленность
NPN
NPN
Напряжение
45V
-
Конфигурация элемента
Dual
-
Текущий
1A
-
Распад мощности
200mW
-
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
100MHz
-
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
45V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
420 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
20nA ICBO
15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 100mA
600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
100MHz
100MHz
Максимальное напряжение разрушения
60V
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
Высота
1.1mm
1mm
Длина
2.2mm
2.2mm
Ширина
1.35mm
1.35mm
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Серия
-
Automotive, AEC-Q101
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Конфигурация
-
SEPARATE, 2 ELEMENTS
Без галогенов
-
Halogen Free
Максимальная частота
-
100MHz
Частота - Переход
-
100MHz