BC847BS-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 2492
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
2.162225 ₽
2.20 ₽
10
2.039835 ₽
20.33 ₽
100
1.924368 ₽
192.45 ₽
500
1.815440 ₽
907.69 ₽
1000
1.712679 ₽
1,712.64 ₽
Цена за единицу: 2.162225 ₽
Итоговая цена: 2.20 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANSISTOR, NPN/NPN, SOT363 | DCX123JU Series NPN/PNP 50 V 100 A Dual Transistor Surface Mount - SOT-363-6 |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 19 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Вес | 6.010099mg | 6.010099mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 200 | 100 |
Рабочая температура | -65°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Частота | 100MHz | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | BC847BS | DCX123 |
Число контактов | 6 | 6 |
Направленность | NPN | NPN, PNP |
Напряжение | 45V | - |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Текущий | 1A | - |
Распад мощности | 200mW | - |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Продуктивность полосы частот | 100MHz | - |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 2mA 5V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 20nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Частота перехода | 100MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 60V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 5V |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - |
Высота | 1.1mm | 1mm |
Длина | 2.2mm | 2.2mm |
Ширина | 1.35mm | 1.35mm |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 50V |
Моментальный ток | - | 100mA |
Максимальный выходной ток | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | 50V |
Каналов количество | - | 2 |
Частота - Переход | - | 250MHz |
База (R1) | - | 2.2k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | - | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 47k Ω |