Все продукты

Войти
ПроизводителиЗапрос котировок Блогисвязаться с намикомпании AKCEL

Место отправки: Китай

+852-8177 7669
Главная /Каталог товаров /BC847BS-7-F Против BC847PN-7-F /

BC847BS-7-F Альтернативные части: BC847PN-7-F

BC847BS-7-FDiodes Incorporated

  • BC847BS-7-FDiodes Incorporated
  • BC847PN-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2492

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    2.162225 ₽

    2.20 ₽

  • 10

    2.039835 ₽

    20.33 ₽

  • 100

    1.924368 ₽

    192.45 ₽

  • 500

    1.815440 ₽

    907.69 ₽

  • 1000

    1.712679 ₽

    1,712.64 ₽

Цена за единицу: 2.162225 ₽

Итоговая цена: 2.20 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
иBC847BS-7-FBC847BS-7-F
иBC847PN-7-FBC847PN-7-F
Производитель:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Описание:
TRANSISTOR, NPN/NPN, SOT363
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов
6
6
Вес
6.010099mg
6.010099mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
Количество элементов
2
2
Минимальная частота работы в герцах
200
200
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
-65°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2008
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Частота
100MHz
300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
BC847BS
BC847PN
Число контактов
6
6
Направленность
NPN
NPN, PNP
Напряжение
45V
-
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Текущий
1A
-
Распад мощности
200mW
200mW
Применение транзистора
SWITCHING
-
Продуктивность полосы частот
100MHz
300MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
45V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
200 @ 2mA 5V / 220 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
20nA ICBO
15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 100mA
600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
100MHz
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
60V
45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
Высота
1.1mm
1mm
Длина
2.2mm
2.2mm
Ширина
1.35mm
1.35mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Завершение
-
SMD/SMT
Сокетная связка
-
ISOLATED
Частота - Переход
-
300MHz 200MHz

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

НаименованиеАртикулПроизводительКатегорияУпаковкаОписаниеДля сравнения
DDC114YU-7-FDDC114YU-7-FDiodes IncorporatedТранзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные6-TSSOP, SC-88, SOT-363TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 Для сравнения
SBC847CDW1T1GSBC847CDW1T1GON SemiconductorТранзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы6-TSSOP, SC-88, SOT-363Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R Для сравнения
BC847PN-7-FBC847PN-7-FDiodes IncorporatedТранзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы6-TSSOP, SC-88, SOT-363TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363 Для сравнения
DCX123JU-7-FDCX123JU-7-FDiodes IncorporatedТранзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные6-TSSOP, SC-88, SOT-363DCX123JU Series NPN/PNP 50 V 100 A Dual Transistor Surface Mount - SOT-363-6 Для сравнения
(0 шт.)

Он пуст.