BC847BS-7-F Альтернативные части: DDC114YU-7-F

BC847BS-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2492

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
2.162225 ₽
2.20 ₽
10
2.039835 ₽
20.33 ₽
100
1.924368 ₽
192.45 ₽
500
1.815440 ₽
907.69 ₽
1000
1.712679 ₽
1,712.64 ₽

Цена за единицу: 2.162225 ₽

Итоговая цена: 2.20 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC847BS-7-F	иDDC114YU-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANSISTOR, NPN/NPN, SOT363	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Срок поставки от производителя	15 Weeks	19 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6
Вес	6.010099mg	6.010099mg
Материал элемента транзистора	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	45V	50V
Количество элементов	2	2
Минимальная частота работы в герцах	200	100
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2013
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Частота	100MHz	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	BC847BS	DDC114
Число контактов	6	6
Направленность	NPN	NPN, PNP
Напряжение	45V	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Текущий	1A	-
Распад мощности	200mW	-
Применение транзистора	SWITCHING	-
Продуктивность полосы частот	100MHz	-
Тип транзистора	2 NPN (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	50V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 2mA 5V	68 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	20nA ICBO	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 100mA	300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода	100MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	60V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	5V
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	-
Высота	1.1mm	1mm
Длина	2.2mm	2.2mm
Ширина	1.35mm	1.35mm
REACH SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-55°C
Код ТН ВЭД	-	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	50V
Моментальный ток	-	100mA
Максимальный выходной ток	-	100mA
Входной напряжение питания	-	50V
Частота - Переход	-	250MHz
База (R1)	-	10k Ω
Прямоходящий ток коллектора	-	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	-	47k Ω

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DDC114YU-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363	Для сравнения
SBC847CDW1T1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R	Для сравнения
BC847PN-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363	Для сравнения
DCX123JU-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DCX123JU Series NPN/PNP 50 V 100 A Dual Transistor Surface Mount - SOT-363-6	Для сравнения