2SD2703TL Альтернативные части: MCH6542-TL-E ,2SD1781KT146R

2SD2703TLROHM Semiconductor

  • 2SD2703TLROHM Semiconductor
  • MCH6542-TL-EON Semiconductor
  • 2SD1781KT146RROHM Semiconductor

В наличии: 9850

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    10.879121 ₽

    10.85 ₽

  • 10

    10.263324 ₽

    102.61 ₽

  • 100

    9.682376 ₽

    968.27 ₽

  • 500

    9.134313 ₽

    4,567.17 ₽

  • 1000

    8.617280 ₽

    8,617.31 ₽

Цена за единицу: 10.879121 ₽

Итоговая цена: 10.85 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 30V 1A TUMT3
TRANS NPN/PNP 30V 0.3A 6MCPH
TRANS NPN 32V 0.8A SOT-346
Срок поставки от производителя
13 Weeks
-
13 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Tin
-
Copper, Silver, Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
3-SMD, Flat Lead
6-SMD, Flat Leads
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
6
3
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
32V
Количество элементов
1
-
1
Минимальная частота работы в герцах
270
-
120
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2013
2007
1998
Код JESD-609
e2
-
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
3
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN COPPER
-
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
-
8541.21.00.75
Максимальная потеря мощности
800mW
55mW
200mW
Положение терминала
DUAL
-
DUAL
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
-
10
Основной номер части
2SD2703
-
2SD1781
Число контактов
3
-
3
Конфигурация элемента
Single
-
Single
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
320MHz
-
150MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN, PNP
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
200mV
32V
Максимальный ток сбора
1A
300mA
800mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
270 @ 100mA 2V
300 @ 10mA 2V
180 @ 100mA 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
350mV @ 25mA, 500mA
200mV @ 5mA, 100mA
400mV @ 50mA, 500mA
Максимальная частота
100MHz
-
100MHz
Частота перехода
320MHz
-
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
-
32V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
-
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
-
5V
Высота
820μm
-
1mm
Длина
2.1mm
-
2.9mm
Ширина
1.8mm
-
1.6mm
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Направленность
-
NPN, PNP
-
Мощность - Макс
-
55mW
-
Частота - Переход
-
380MHz
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
32V
Форма вывода
-
-
GULL WING
Моментальный ток
-
-
800mA
Прямоходящий ток коллектора
-
-
800mA
Максимальное напряжение на выходе
-
-
0.4 V