2SD2703TL Альтернативные части: 2SD1781KT146R

2SD2703TLROHM Semiconductor

  • 2SD2703TLROHM Semiconductor
  • 2SD1781KT146RROHM Semiconductor

В наличии: 9850

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    10.879121 ₽

    10.85 ₽

  • 10

    10.263324 ₽

    102.61 ₽

  • 100

    9.682376 ₽

    968.27 ₽

  • 500

    9.134313 ₽

    4,567.17 ₽

  • 1000

    8.617280 ₽

    8,617.31 ₽

Цена за единицу: 10.879121 ₽

Итоговая цена: 10.85 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 30V 1A TUMT3
TRANS NPN 32V 0.8A SOT-346
Срок поставки от производителя
13 Weeks
13 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Tin
Copper, Silver, Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
3-SMD, Flat Lead
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
32V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
270
120
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2013
1998
Код JESD-609
e2
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN COPPER
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Максимальная потеря мощности
800mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
Основной номер части
2SD2703
2SD1781
Число контактов
3
3
Конфигурация элемента
Single
Single
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
320MHz
150MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
32V
Максимальный ток сбора
1A
800mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
270 @ 100mA 2V
180 @ 100mA 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
350mV @ 25mA, 500mA
400mV @ 50mA, 500mA
Максимальная частота
100MHz
100MHz
Частота перехода
320MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
32V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
5V
Высота
820μm
1mm
Длина
2.1mm
2.9mm
Ширина
1.8mm
1.6mm
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
32V
Форма вывода
-
GULL WING
Моментальный ток
-
800mA
Прямоходящий ток коллектора
-
800mA
Максимальное напряжение на выходе
-
0.4 V