2SD2703TLROHM Semiconductor
В наличии: 9850
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
10.879121 ₽
10.85 ₽
10
10.263324 ₽
102.61 ₽
100
9.682376 ₽
968.27 ₽
500
9.134313 ₽
4,567.17 ₽
1000
8.617280 ₽
8,617.31 ₽
Цена за единицу: 10.879121 ₽
Итоговая цена: 10.85 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN 30V 1A TUMT3 | TRANS NPN 32V 0.8A SOT-346 |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 13 Weeks |
Покрытие контактов | Copper, Tin | Copper, Silver, Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 3-SMD, Flat Lead | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 32V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 270 | 120 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 1998 |
Код JESD-609 | e2 | e1 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | TIN COPPER | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Максимальная потеря мощности | 800mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 |
Основной номер части | 2SD2703 | 2SD1781 |
Число контактов | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Применение транзистора | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 320MHz | 150MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 32V |
Максимальный ток сбора | 1A | 800mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 270 @ 100mA 2V | 180 @ 100mA 3V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 500nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA | 400mV @ 50mA, 500mA |
Максимальная частота | 100MHz | 100MHz |
Частота перехода | 320MHz | 150MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 30V | 32V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 40V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 5V |
Высота | 820μm | 1mm |
Длина | 2.1mm | 2.9mm |
Ширина | 1.8mm | 1.6mm |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 32V |
Форма вывода | - | GULL WING |
Моментальный ток | - | 800mA |
Прямоходящий ток коллектора | - | 800mA |
Максимальное напряжение на выходе | - | 0.4 V |