Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SD2703TL Альтернативные части: MCH6542-TL-E
2SD2703TLROHM Semiconductor
В наличии: 9850
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
10.879121 ₽
10.85 ₽
10
10.263324 ₽
102.61 ₽
100
9.682376 ₽
968.27 ₽
500
9.134313 ₽
4,567.17 ₽
1000
8.617280 ₽
8,617.31 ₽
Цена за единицу: 10.879121 ₽
Итоговая цена: 10.85 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN 30V 1A TUMT3 | TRANS NPN/PNP 30V 0.3A 6MCPH |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | - |
Покрытие контактов | Copper, Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 3-SMD, Flat Lead | 6-SMD, Flat Leads |
Количество контактов | 3 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 30V |
Количество элементов | 1 | - |
Минимальная частота работы в герцах | 270 | - |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2007 |
Код JESD-609 | e2 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | TIN COPPER | - |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | - |
Максимальная потеря мощности | 800mW | 55mW |
Положение терминала | DUAL | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | - |
Основной номер части | 2SD2703 | - |
Число контактов | 3 | - |
Конфигурация элемента | Single | - |
Применение транзистора | AMPLIFIER | - |
Продуктивность полосы частот | 320MHz | - |
Полярность/Тип канала | NPN | - |
Тип транзистора | NPN | NPN, PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 200mV |
Максимальный ток сбора | 1A | 300mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 270 @ 100mA 2V | 300 @ 10mA 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA | 200mV @ 5mA, 100mA |
Максимальная частота | 100MHz | - |
Частота перехода | 320MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 30V | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | - |
Высота | 820μm | - |
Длина | 2.1mm | - |
Ширина | 1.8mm | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Направленность | - | NPN, PNP |
Мощность - Макс | - | 55mW |
Частота - Переход | - | 380MHz |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SD1781KT146R | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 32V 0.8A SOT-346 | Для сравнения |
| 2SD2657KT146 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 1.5A SOT-346 | Для сравнения |
| 2SD1781KT146Q | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 32V 0.8A SOT-346 | Для сравнения |
 | MCH6542-TL-E | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-SMD, Flat Leads | TRANS NPN/PNP 30V 0.3A 6MCPH | Для сравнения |