2SD2703TL Альтернативные части: 2SD1781KT146Q

2SD2703TLROHM Semiconductor

  • 2SD2703TLROHM Semiconductor
  • 2SD1781KT146QROHM Semiconductor

В наличии: 9850

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    10.879121 ₽

    10.85 ₽

  • 10

    10.263324 ₽

    102.61 ₽

  • 100

    9.682376 ₽

    968.27 ₽

  • 500

    9.134313 ₽

    4,567.17 ₽

  • 1000

    8.617280 ₽

    8,617.31 ₽

Цена за единицу: 10.879121 ₽

Итоговая цена: 10.85 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 30V 1A TUMT3
TRANS NPN 32V 0.8A SOT-346
Срок поставки от производителя
13 Weeks
13 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Tin
Copper, Silver, Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
3-SMD, Flat Lead
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
32V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
270
120
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2013
1998
Код JESD-609
e2
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN COPPER
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Максимальная потеря мощности
800mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
Основной номер части
2SD2703
2SD1781
Число контактов
3
3
Конфигурация элемента
Single
Single
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
320MHz
150MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
32V
Максимальный ток сбора
1A
800mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
270 @ 100mA 2V
120 @ 100mA 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
350mV @ 25mA, 500mA
400mV @ 50mA, 500mA
Максимальная частота
100MHz
-
Частота перехода
320MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
32V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
5V
Высота
820μm
-
Длина
2.1mm
-
Ширина
1.8mm
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
32V
Форма вывода
-
GULL WING
Моментальный ток
-
800mA
Прямоходящий ток коллектора
-
800mA
Максимальное напряжение на выходе
-
0.4 V
REACH SVHC
-
No SVHC