ZXTN25100DFHTA Альтернативные части: ZXTN2020FTA ,SSTA28T116

ZXTN25100DFHTADiodes Incorporated

В наличии: 933

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
25.348352 ₽
25.41 ₽
10
23.913544 ₽
239.15 ₽
100
22.559945 ₽
2,256.04 ₽
500
21.282967 ₽
10,641.48 ₽
1000
20.078269 ₽
20,078.30 ₽

Цена за единицу: 25.348352 ₽

Итоговая цена: 25.41 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXTN25100DFHTA	иZXTN2020FTA	иSSTA28T116
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	ROHM Semiconductor
Описание:	Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	TRANS NPN 100V 4A SOT23-3	TRANS NPN DARL 80V 0.3A SOT23
Срок поставки от производителя	11 Weeks	15 Weeks	10 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	100V	100V	80V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	2006	2005
Код JESD-609	e3	e3	e1
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	-
Максимальная потеря мощности	1.81W	1.56W	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Частота	175MHz	130MHz	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	10
Основной номер части	ZXTN25100D	ZXTN2020	STA28
Число контактов	3	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	1.81W	1.56W	200mW
Мощность - Макс	1.25W	1.2W	-
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	175MHz	130MHz	-
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	-
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	100V	100V	80V
Максимальный ток сбора	2.5A	4A	300mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	300 @ 10mA 2V	100 @ 1A 2V	10000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	50nA ICBO	20nA ICBO	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	330mV @ 250mA, 2.5A	150mV @ 400mA, 4A	1.5V @ 100μA, 100mA
Частота перехода	175MHz	130MHz	200MHz
Максимальное напряжение разрушения	100V	100V	80V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	180V	160V	80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7V	7V	12V
Высота	1mm	1mm	-
Длина	3.05mm	3.05mm	-
Ширина	1.4mm	1.4mm	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin	-
Минимальная частота работы в герцах	-	100	10000
Завершение	-	SMD/SMT	SMD/SMT
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	100V	80V
Моментальный ток	-	4A	300mA
Код ТН ВЭД	-	-	8541.21.00.75
Направленность	-	-	NPN
Частота - Переход	-	-	200MHz
Максимальное напряжение на выходе	-	-	1.5 V
Сопротивление базы-эмиттора макс	-	-	8pF

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FMMT493TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 100V 1A SOT23-3	Для сравнения
FMMT634TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN DARL 100V 0.9A SOT23-3	Для сравнения
ZXTN2020FTA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 100V 4A SOT23-3	Для сравнения
SSTA28T116	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN DARL 80V 0.3A SOT23	Для сравнения