Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ZXTN25100DFHTA Альтернативные части: SSTA28T116
ZXTN25100DFHTADiodes Incorporated
В наличии: 933
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
25.348352 ₽
25.41 ₽
10
23.913544 ₽
239.15 ₽
100
22.559945 ₽
2,256.04 ₽
500
21.282967 ₽
10,641.48 ₽
1000
20.078269 ₽
20,078.30 ₽
Цена за единицу: 25.348352 ₽
Итоговая цена: 25.41 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | TRANS NPN DARL 80V 0.3A SOT23 |
Срок поставки от производителя | 11 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 100V | 80V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2005 |
Код JESD-609 | e3 | e1 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - |
Максимальная потеря мощности | 1.81W | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Частота | 175MHz | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 10 |
Основной номер части | ZXTN25100D | STA28 |
Число контактов | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 1.81W | 200mW |
Мощность - Макс | 1.25W | - |
Применение транзистора | SWITCHING | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 175MHz | - |
Полярность/Тип канала | NPN | - |
Тип транзистора | NPN | NPN - Darlington |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 100V | 80V |
Максимальный ток сбора | 2.5A | 300mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 300 @ 10mA 2V | 10000 @ 100mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 50nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 330mV @ 250mA, 2.5A | 1.5V @ 100μA, 100mA |
Частота перехода | 175MHz | 200MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 100V | 80V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 180V | 80V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7V | 12V |
Высота | 1mm | - |
Длина | 3.05mm | - |
Ширина | 1.4mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Минимальная частота работы в герцах | - | 10000 |
Завершение | - | SMD/SMT |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 80V |
Моментальный ток | - | 300mA |
Направленность | - | NPN |
Частота - Переход | - | 200MHz |
Максимальное напряжение на выходе | - | 1.5 V |
Сопротивление базы-эмиттора макс | - | 8pF |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FMMT493TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 100V 1A SOT23-3 | Для сравнения |
| FMMT634TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN DARL 100V 0.9A SOT23-3 | Для сравнения |
| ZXTN2020FTA | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 100V 4A SOT23-3 | Для сравнения |
 | SSTA28T116 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN DARL 80V 0.3A SOT23 | Для сравнения |