ZXTN25100DFHTA Альтернативные части: FMMT493TA

ZXTN25100DFHTADiodes Incorporated

В наличии: 933

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
25.348352 ₽
25.41 ₽
10
23.913544 ₽
239.15 ₽
100
22.559945 ₽
2,256.04 ₽
500
21.282967 ₽
10,641.48 ₽
1000
20.078269 ₽
20,078.30 ₽

Цена за единицу: 25.348352 ₽

Итоговая цена: 25.41 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXTN25100DFHTA	иFMMT493TA
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	TRANS NPN 100V 1A SOT23-3
Срок поставки от производителя	11 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	100V	100V
Количество элементов	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2006	2012
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn) - annealed
Максимальная потеря мощности	1.81W	500mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Частота	175MHz	150MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	ZXTN25100D	FMMT493
Число контактов	3	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	1.81W	500mW
Мощность - Макс	1.25W	-
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	175MHz	150MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	100V	100V
Максимальный ток сбора	2.5A	1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	300 @ 10mA 2V	100 @ 250mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	50nA ICBO	100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	330mV @ 250mA, 2.5A	600mV @ 100mA, 1A
Частота перехода	175MHz	150MHz
Максимальное напряжение разрушения	100V	100V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	180V	120V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7V	5V
Высота	1mm	1.1mm
Длина	3.05mm	3mm
Ширина	1.4mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Минимальная частота работы в герцах	-	100
Завершение	-	SMD/SMT
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	60V
Моментальный ток	-	1A
Напряжение	-	100V
Текущий	-	1A
Прямоходящий ток коллектора	-	1A

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FMMT493TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 100V 1A SOT23-3	Для сравнения
FMMT634TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN DARL 100V 0.9A SOT23-3	Для сравнения
ZXTN2020FTA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 100V 4A SOT23-3	Для сравнения
SSTA28T116	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN DARL 80V 0.3A SOT23	Для сравнения