ZXTN25100DFHTA Альтернативные части: SSTA28T116 ,FMMT493TA

ZXTN25100DFHTADiodes Incorporated

  • ZXTN25100DFHTADiodes Incorporated
  • SSTA28T116ROHM Semiconductor
  • FMMT493TADiodes Incorporated

В наличии: 933

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    25.348352 ₽

    25.41 ₽

  • 10

    23.913544 ₽

    239.15 ₽

  • 100

    22.559945 ₽

    2,256.04 ₽

  • 500

    21.282967 ₽

    10,641.48 ₽

  • 1000

    20.078269 ₽

    20,078.30 ₽

Цена за единицу: 25.348352 ₽

Итоговая цена: 25.41 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
TRANS NPN DARL 80V 0.3A SOT23
TRANS NPN 100V 1A SOT23-3
Срок поставки от производителя
11 Weeks
10 Weeks
15 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
7.994566mg
-
7.994566mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
100V
80V
100V
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Опубликовано
2006
2005
2012
Код JESD-609
e3
e1
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Matte Tin (Sn) - annealed
Максимальная потеря мощности
1.81W
200mW
500mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Частота
175MHz
-
150MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
10
40
Основной номер части
ZXTN25100D
STA28
FMMT493
Число контактов
3
3
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
1.81W
200mW
500mW
Мощность - Макс
1.25W
-
-
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
175MHz
-
150MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN - Darlington
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
100V
80V
100V
Максимальный ток сбора
2.5A
300mA
1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
300 @ 10mA 2V
10000 @ 100mA 5V
100 @ 250mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA ICBO
500nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
330mV @ 250mA, 2.5A
1.5V @ 100μA, 100mA
600mV @ 100mA, 1A
Частота перехода
175MHz
200MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
100V
80V
100V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
180V
80V
120V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
12V
5V
Высота
1mm
-
1.1mm
Длина
3.05mm
-
3mm
Ширина
1.4mm
-
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Минимальная частота работы в герцах
-
10000
100
Завершение
-
SMD/SMT
SMD/SMT
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
80V
60V
Моментальный ток
-
300mA
1A
Направленность
-
NPN
-
Частота - Переход
-
200MHz
-
Максимальное напряжение на выходе
-
1.5 V
-
Сопротивление базы-эмиттора макс
-
8pF
-
Напряжение
-
-
100V
Текущий
-
-
1A
Прямоходящий ток коллектора
-
-
1A