ZXTN25100DFHTA Альтернативные части: FMMT493TA ,FMMT634TA

ZXTN25100DFHTADiodes Incorporated

В наличии: 933

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
25.348352 ₽
25.41 ₽
10
23.913544 ₽
239.15 ₽
100
22.559945 ₽
2,256.04 ₽
500
21.282967 ₽
10,641.48 ₽
1000
20.078269 ₽
20,078.30 ₽

Цена за единицу: 25.348352 ₽

Итоговая цена: 25.41 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXTN25100DFHTA	иFMMT493TA	иFMMT634TA
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	TRANS NPN 100V 1A SOT23-3	TRANS NPN DARL 100V 0.9A SOT23-3
Срок поставки от производителя	11 Weeks	15 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	100V	100V	115V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2006	2012	2006
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed
Максимальная потеря мощности	1.81W	500mW	625mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Частота	175MHz	150MHz	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	ZXTN25100D	FMMT493	FMMT634
Число контактов	3	-	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	1.81W	500mW	625mW
Мощность - Макс	1.25W	-	-
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	-
Продуктивность полосы частот	175MHz	150MHz	-
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	-
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	100V	100V	100V
Максимальный ток сбора	2.5A	1A	900mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	300 @ 10mA 2V	100 @ 250mA 10V	20000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	50nA ICBO	100nA	100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	330mV @ 250mA, 2.5A	600mV @ 100mA, 1A	960mV @ 5mA, 1A
Частота перехода	175MHz	150MHz	-
Максимальное напряжение разрушения	100V	100V	100V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	180V	120V	120V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7V	5V	12V
Высота	1mm	1.1mm	1.1mm
Длина	3.05mm	3mm	3.05mm
Ширина	1.4mm	1.4mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Минимальная частота работы в герцах	-	100	-
Завершение	-	SMD/SMT	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	60V	100V
Моментальный ток	-	1A	900mA
Напряжение	-	100V	-
Текущий	-	1A	-
Прямоходящий ток коллектора	-	1A	900mA
Направленность	-	-	NPN
Частота - Переход	-	-	140MHz
Максимальная температура перехода (Тj)	-	-	150°C

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FMMT493TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 100V 1A SOT23-3	Для сравнения
FMMT634TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN DARL 100V 0.9A SOT23-3	Для сравнения
ZXTN2020FTA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 100V 4A SOT23-3	Для сравнения
SSTA28T116	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN DARL 80V 0.3A SOT23	Для сравнения