Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ZXMC3F31DN8TA Альтернативные части: IRF7421D1TRPBF ,DMC3028LSDX-13
ZXMC3F31DN8TADiodes Incorporated
В наличии: 20212
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
66.202088 ₽
66.21 ₽
10
62.454766 ₽
624.59 ₽
100
58.919670 ₽
5,892.03 ₽
500
55.584519 ₽
27,792.31 ₽
1000
52.438297 ₽
52,438.32 ₽
Цена за единицу: 66.202088 ₽
Итоговая цена: 66.21 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SO T/R | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC | MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | - | 23 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6.8A 4.9A | 5.8A Ta | 5.5A 5.8A |
Количество элементов | 2 | 1 | 2 |
Время отключения | 30 ns | 20 ns | 60.5 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2004 | 2015 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - | 8 |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) |
Максимальная потеря мощности | 1.8W | - | 1.2W |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | 30 |
Число контактов | 8 | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.1W | 2W | - |
Время задержки включения | 1.9 ns | 6.7 ns | 9.7 ns |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N-Channel | N and P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 24m Ω @ 7A, 10V | 35mOhm @ 4.1A, 10V | 27m Ω @ 6A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 1V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 608pF @ 15V | 510pF @ 25V | 641pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 12.9nC @ 10V | 27nC @ 10V | 13.2nC @ 10V |
Время подъема | 3ns | 27ns | 17.1ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | 30V |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Время падения (тип) | 21 ns | 16 ns | 40.4 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 4.9A | 5.8A | 5.8A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 5.7A | - | 5.5A |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | 30V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate, 4.5V Drive | Schottky Diode (Isolated) | Logic Level Gate |
REACH SVHC | No SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Поставщик упаковки устройства | - | 8-SO | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 2W Ta | - |
Серия | - | FETKY™ | - |
Сопротивление | - | 35MOhm | - |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 30V | - |
Моментальный ток | - | 5.8A | - |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | - |
Входной ёмкости | - | 510pF | - |
Сопротивление стока к истоку | - | 60mOhm | - |
Rds на макс. | - | 35 mΩ | - |
Высота | - | 1.4986mm | 1.5mm |
Длина | - | 4.9784mm | 4.95mm |
Ширина | - | 3.9878mm | 3.95mm |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Вес | - | - | 73.992255mg |
Дополнительная Характеристика | - | - | HIGH RELIABILITY |
Нормативная Марка | - | - | AEC-Q101 |
Каналов количество | - | - | 2 |
Минимальная напряжённость разрушения | - | - | 30V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO | Для сравнения |
| DMHC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO | Для сравнения |
 | IRF7421D1TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC | Для сравнения |
| DMC3028LSDX-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO | Для сравнения |