ZXMC3F31DN8TA Альтернативные части: DMHC3025LSD-13

ZXMC3F31DN8TADiodes Incorporated

В наличии: 20212

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
66.202088 ₽
66.21 ₽
10
62.454766 ₽
624.59 ₽
100
58.919670 ₽
5,892.03 ₽
500
55.584519 ₽
27,792.31 ₽
1000
52.438297 ₽
52,438.32 ₽

Цена за единицу: 66.202088 ₽

Итоговая цена: 66.21 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXMC3F31DN8TA	иDMHC3025LSD-13
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SO T/R	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
Срок поставки от производителя	17 Weeks	18 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	6.8A 4.9A	6A 4.2A
Количество элементов	2	4
Время отключения	30 ns	28.2 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2008	2013
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Максимальная потеря мощности	1.8W	1.5W
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Число контактов	8	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.1W	1.5W
Время задержки включения	1.9 ns	7.5 ns
Тип ТРВ	N and P-Channel	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	24m Ω @ 7A, 10V	25m Ω @ 5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	608pF @ 15V	590pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	12.9nC @ 10V	11.7nC @ 10V
Время подъема	3ns	4.9ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	30V
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Время падения (тип)	21 ns	13.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)	4.9A	4.2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	5.7A	6A
Напряжение пробоя стока к истоку	-30V	-30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate, 4.5V Drive	Logic Level Gate
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Покрытие контактов	-	Tin
Вес	-	73.992255mg
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY
Основной номер части	-	DMHC3025LSD
Нормативная Марка	-	AEC-Q101
Пороговое напряжение	-	2V
Сопротивление открытого канала-макс	-	0.025Ohm
Максимальный импульсный ток вывода	-	60A
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C
Высота	-	1.7mm
Длина	-	4.95mm
Ширина	-	3.95mm
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMC3025LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO	Для сравнения
DMHC3025LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO	Для сравнения
IRF7421D1TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC	Для сравнения
DMC3028LSDX-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO	Для сравнения