ZXMC3F31DN8TA Альтернативные части: IRF7421D1TRPBF

ZXMC3F31DN8TADiodes Incorporated

В наличии: 20212

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
66.202088 ₽
66.21 ₽
10
62.454766 ₽
624.59 ₽
100
58.919670 ₽
5,892.03 ₽
500
55.584519 ₽
27,792.31 ₽
1000
52.438297 ₽
52,438.32 ₽

Цена за единицу: 66.202088 ₽

Итоговая цена: 66.21 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXMC3F31DN8TA	иIRF7421D1TRPBF
Производитель:	Diodes Incorporated	Infineon Technologies
Описание:	Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SO T/R	MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	17 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	6.8A 4.9A	5.8A Ta
Количество элементов	2	1
Время отключения	30 ns	20 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2004
Код JESD-609	e3	-
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	-
Код ECCN	EAR99	-
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Максимальная потеря мощности	1.8W	-
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-
Число контактов	8	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	-
Распад мощности	2.1W	2W
Время задержки включения	1.9 ns	6.7 ns
Тип ТРВ	N and P-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	24m Ω @ 7A, 10V	35mOhm @ 4.1A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	608pF @ 15V	510pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	12.9nC @ 10V	27nC @ 10V
Время подъема	3ns	27ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	30V
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	-
Время падения (тип)	21 ns	16 ns
Непрерывный ток стока (ID)	4.9A	5.8A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	5.7A	-
Напряжение пробоя стока к истоку	-30V	30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate, 4.5V Drive	Schottky Diode (Isolated)
REACH SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Поставщик упаковки устройства	-	8-SO
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	-	4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния	-	2W Ta
Серия	-	FETKY™
Сопротивление	-	35MOhm
Максимальная рабочая температура	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V
Моментальный ток	-	5.8A
Угол настройки (макс.)	-	±20V
Входной ёмкости	-	510pF
Сопротивление стока к истоку	-	60mOhm
Rds на макс.	-	35 mΩ
Высота	-	1.4986mm
Длина	-	4.9784mm
Ширина	-	3.9878mm
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMC3025LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO	Для сравнения
DMHC3025LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO	Для сравнения
IRF7421D1TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC	Для сравнения
DMC3028LSDX-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO	Для сравнения